而英特尔为了实现在制程工艺上领先台积电目标,正非常积极的尝试最新的High NA EUV光刻机,预期将会被用于Intel 14A制程的量产。而预计在2025年商用的Intel 18A仍将继续采用常规的Low NA EUV光刻机,以达到最佳的制程技术平衡与成本效益。
英特尔表示,High-NA EUV可减少掩膜数量,提高分辨率并简化芯片制造制程。掩膜包含芯片设计,旧款机器需要依赖更多掩膜,来产生更高分辨率的芯片。
编辑:芯智讯-浪客剑