在3nm制程上,三星率先应用了全环绕栅极工艺(GAA,全称Gate-All-AroundT),打破了FinFET技术的性能限制。目前台积电3nm依然停留在旧的FinFET晶体管技术上。话说三星这几年的芯片制程工艺一直不太给力,被良率问题困扰已久。这次如果量产成功,以后就是芯片代工台积电、Intel、三星三国演义了。