$英特尔(INTC)$ 在圣地亚哥举行的OFC大会上，英特尔展示了光互连OC小芯片，该小芯片与下一代英特尔 CPU 原型共同封装。首个 OCI 实现方案是兼容 PCIe Gen5 的 4 Tbps 双向小芯片，支持 64 个通道，每个方向 32 Gbps 数据，超过 10 米，实现为 8 对光纤，每对光纤承载 8 个 DWDM 波长。该平台未来还有可能达到32Tbps。

AI的需求推动了I/O 带宽的指数级增长，以及更长的连接范围，以支持更大的 xPU 集群。电气 I/O（即铜走线连接）支持高带宽密度和低功耗，但通常仅限于约 1 米或更短距离。当前数据中心和早期 AI 集群中使用的可插拔光收发器模块可以扩大覆盖范围，但其成本和功耗水平对于我们面前的 AI 工作负载的扩展要求是不可持续的。共同封装的 xPU （CPU、GPU、IPU） 光 I/O 解决方案可以支持更高的带宽、高能效、低延迟和更长的覆盖范围。

英特尔OCI小芯片包含一个集成激光器的硅光子集成电路 PIC、一个具有TSV 的电气 IC，以及一个用于集成可拆卸/可重复使用的光学连接器的链路。OCI 小芯片可与下一代 CPU、GPU、IPU 和其他具有高带宽需求的片上系统 （SOC） 共同封装。第一代OCI芯片为未来实现超TB级光连接铺平了道路（shoreline 密度比PCIe Gen6 提高4倍以上，能效 <3pJ/bit，延迟 <10ns （+TOF），覆盖范围>100 米）。

集成的硅光子芯片由Intel位于美国的一个晶圆厂制造，该晶圆厂已经出货了超过 800 万个 PIC，其中超过 3200 万个片上激光器嵌入到用于数据中心网络的可插拔光收发器中。除了性能优势和久经考验的可靠性外，片上激光技术还实现了真正的晶圆级制造、老化和测试，从而转化为子系统级的高简单性\可靠性和制造效率。