吹雪兄 你咋啦

最大的3D NAND闪存制造商三星电子（以下简称三星）预测，在不久的将来，堆叠字线的数量将超过1,000层，他们也正在进行技术开发，目标是实现1,000层。其中一部分是在2023年12月9日至13日在美国举行的国际学术会议“IEDM 2023”上公布的。当前的3D NAND闪存技术一代（最先进的一代）正处于第8代（“第8代V-NAND”或三星称之为“V8”）到第9代（“V9”）的风口浪尖。第8代（V8）最多有236层，原型芯片已在2022年2月的国际会议ISSCC上公布。同年11月7日，三星正式宣布开始量产采用V8技术和TLC技术（3bit/cell技术）相结合的存储容量为1Tbit的3D NAND闪存。根据过去的发展趋势，假设每代高度增加1.35倍左右，可以预测2030年V13一代的堆叠字线数量将超过1000层。2022年12月，三星在其技术博客上宣布将开发3D NAND技术的未来，目标是“到2030年达到1000层”。

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富国银行指，生成式人工智能的长期扩张将持续，预计2024年将出现一些对周期更敏感的公司上涨轮换，而美光是 2024 年半导体领域的首选。该行预计，到2024年和2025年，半导体行业的存储部分将同比增长69%和15%。