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存储芯片除了主流的大容量NAND和DRAM，还包括以中小容量SLC NAND Flash、NOR Flash和中小容量DRAM为代表的利基型存储芯片。NAND分为SLC、MLC、TLC、QLC四类，SLC中的每个存储单元只能存储1位数据，QLC 则能够存储4位，从SLC到QLC，各类NAND的数据密度大幅提升，每GB的价格大大降低，但同时存储位数的增多亦使得产品擦写寿命与可靠性降低。
SLC NAND Flash，与大容量存储芯片追求单位存储密度不同，更加注重低功耗、可靠性、数据传输速度，主要运用于5G通信设备、安防监控、可穿戴设备等领域。目前SLC NAND擦写次数达到10万次，数据保存时间达10年。在功耗方面待机电流达到10μA；传输速度方面，当前SLC NAND芯片的数据传输速度约为104MHz。
市场规模，全球SLC NAND在过去几年实现了较快的增长，从2017年的18.38亿美元增长至2022年的23.63亿美元，CAGR达5.15%。根据Gartner预计，在原有刚性需求的支撑下和下游不断涌现新兴应用领域的影响下，2019-2024年SLC NAND全球市场规模CAGR将实现6.82%，2024年市场规模有望达到23.24亿美元。
NAND Flash市场经过几十年的发展，逐渐形成了由三星电子、铠侠、西部数据、美光、SK海力士等组成的稳定市场格局，CR5合计市占率达95%。中小容量的SLC NAND市场竞争格局则较为分散，尚未形成寡头垄断格局，国外行业龙头三星电子、铠侠和台湾IDM模式厂商华邦电子、旺宏电子占据了较高的市场份额，国内主要是东***、兆***等企业。
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