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回复@格雷-lyu: 是这样的,芯片half pitch做不太小的根本原因是低尺度下,由于量子隧穿效应,栅极电压不足以夹断源-漏间的电流,导致漏电(想想三星的芯片发热问题),现在的解决方法首先是GAA/nanosheet,从三级环绕改成四级环绕,加强控制力,  这个能玩十几年, 然后演进到CFET堆叠,然后再发展个十几年,总共发展大概30年没有问题,并非简单的说比如20年内会因为物理尺寸问题被【追上】[想一下]。这是个纯量子力学问题,而相对论是宏观尺度的理论,解决不了这个问题(虽然可以用狭义相对论来解释黄金的颜色,和铅蓄电池的电压,但无法用来【处理微观问题】),后面他说"物理学开奖破土,开辟新理论",这倒是有可能的,靠相对论是没戏的,我觉得这个作者应该还是懂的,但是他可能觉得读者会特别喜欢【相对论】这个高大上的词(一般相对论+量子力学两个词放到一起,有高大上的复利效应),所以这里他凑字扯一句,算是个【很机智】的写作者[笑] #浮云谈科学#//@格雷-lyu:回复@浮云资本:电子运动无法用能带理论解释的时候,什么理论可以解释大家也不知道,为啥你这么笃定[大笑]
引用:
2023-04-22 20:40
#格雷随记2023# 从理论上,芯片技术已经无法再进一步了。需要理论的突破了。[摊手]