作者：趋势超盈

Lee副总裁解释说：“许多公司正在努力过渡到4F Square VCT DRAM，”他补充道，“但是，要实现这一目标，必须优先开发氧化物沟道材料和铁电体等新材料。”
垂直沟道晶体管 (VCT：vertical channel transistor) 可以是一种 FinFET，其中导电沟道被薄硅“鳍片”包裹，形成器件主体。VCT 也可以是环栅 (GAA) 晶体管，其中栅极材料从所有侧面包围导电沟道。