今年 4 月，三星证实已开始量产其 1 太比特 (Tb) 三层单元 (TLC) 第 9 代垂直 NAND (V-NAND)，号称与之前的产品相比，位密度提高了约 50%。据媒体早前报道，第八代V-NAND，层数达到290层。
V-NAND（即垂直 NAND）是一种闪存，其中存储单元垂直堆叠，与传统平面 NAND 相比，显著提高了存储密度和可靠性。
关于QLC V-NAND 与 TLC V-NAND 有何不同？四级单元 (QLC) V-NAND 每个单元存储四位数据，而三级单元 (TLC) 每个单元存储三位数据。QLC 提供更高的密度，这意味着相同物理空间内的存储容量更大。
三星计划凭借第 9 代 V-NAND 主导 AI SSD 市场，目标是在第二季度开发和出样超高容量 64 TB SSD。
5月中旬，三星甚至透露了到2030年推出超过1000层的先进NAND Flash的目标。这家韩国存储巨头计划在NAND制造中应用新型铁电材料。
另一方面，目前NVIDIA H100解决方案的HBM3供应主要由SK海力士满足，导致供应不足，无法满足新兴的AI市场需求。在确立 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士现在的目标是在 NAND 人工智能内存市场占据主导地位。