PVD、CVD比较难满足这个要求，所以后来英特尔就把 ALD导入High-K Metal Gate(HKMG)工艺，导入之后，不管是Fin-FET或者Gate-All-Around(GAA)，它的介质层都要用ALD来做，否则无法做到完全覆盖。因为ALD的台阶覆盖率可以做到将近100%，不管你是深孔的或是3D结构，它都可以很均匀地覆盖在表面上。查看图片