深科技：合肥沛顿计划于2023年底至2024年初满产
全球半导体观察 SEMI 2022-08-12 17:30 发表于上海8月11日，深科技在互动平台表示，深科技沛顿已完成基于8层超薄芯片堆叠技术的LPDDR颗粒以及19nm FCCSP存储颗粒量产，并且在40um超薄晶圆隐形切割，80um细间距倒装芯片焊接，16层超薄芯片堆叠、系统级封装等关键技术达到国内领先，世界先进。目前，公司是国内唯一具有从集成电路高端DRAM / Flash晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业。
深科技表示，合肥沛顿于2021年12月投产以来，产能进度符合预期，计划于2023年底至2024年初满产，届时深科技沛顿月均总产能为12万片/月，可全面配合上游厂商最新的业务发展进度。$深科技(SZ000021)$
沛顿分别于 2018 年与 2020 年设立了东莞集成电路封测子公司与合肥沛顿子公司，齐力推动业务向高附加值的芯片封测领域延伸。
总投资 100 亿元，一期投资 30.67 亿元的合肥沛顿国产存储芯片封测和模组制造项目，2021 年 6 月 26 日正式封顶，预计年底投产。
合肥沛顿一期项目预计 12 月投产，项目达产后，预计可实现年封测 DRAM 颗粒 5.76 亿颗，年封装 NAND FLASH 3840 万颗，年产内存模组 3000 万条的生产能力，预计可实现年营收 28 亿元左右。