TrendForce强调，“通用DRAM市场正经历前所未有的供需失衡周期，加剧DDR3产能短缺。”分析称，下半年整体供应缺口可能超过20-30％。

价格上涨部分归因于 HBM 热潮引发的气球效应。HBM 所需的产能是相同晶圆尺寸的传统 DRAM 的 2.5-3 倍，且良率有限，约为 50-60%。三星电子、SK 海力士和美国美光的 HBM 产量都比去年增加了至少两倍。$兆易创新(SH603986)$