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据日经新闻网报道，近期晶圆代工厂商力积电（PSMC）传出将和日本新创企业合作，目标在2029年量产MRAM，将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。
根据报道，东北大学长年来持续研究MRAM，而PowerSpin将提供MRAM IP给力积电，力积电在推动研究、试产后，目标在2029年开始进行量产，期待可应用于生成式AI数据中心。
力积电携手日本网路金融厂商SBI Holdings计划在日本宫城县兴建晶圆厂，该晶圆厂将分为2期工程，第1期工程目标2027年投产、第2期工程目标2029年投产，而力积电预计将利用第2期工程产线，于2029年量产MRAM。
何为MRAM？
理论上讲，MRAM，全称是Magnetoresistive Random Access Memory，是一种非易失性（Non-Volatile）的磁阻式随机存取存储器，是一种基于隧穿磁阻效应的技术，属于当前新型存储器技术之一。
业界认为，STT-MRAM和SOT-MRAM这两种存储器有望成为高性能计算系统（如数据中心）分级存储体系中的上佳选择。不过，如果要将STT-MRAM或SOT-MRAM用作高密度存储器，还需在存储器成本和密度方面有进一步提升。
值得一提的是，去年3月初，中科院微电子所在SOT-MRAM的关键集成技术领域取得新进展。为了更好地解决SOT-MRAM的刻蚀技术难题以实现SOT-MTJ的高密度片上集成，同时研究不同的刻蚀工艺对器件磁电特性的影响，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组开发了一种基于垂直磁各向异性SOT-MTJ的刻蚀“停MgO”工艺（SOMP-MTJ），该工艺有效地解决了SOT-MRAM制造中的刻蚀短路问题。

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目前市场还只是聚焦在训练侧，边缘侧还鲜有关注的。

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