2023-11-19 19:19
报告期内,公司聚焦核心技术持续构建和完善知识产权体系,新增专利授权20项,其中授权发明专利5项;新增专利申请44项,其中发明专利23项。截止报告期末,公司拥有有效专利272项,其中授权发明专利54项。公司已连续两届入选全球氢能产业发明专利排行榜(前100名)。公司投资的磁存储芯片(PMRAM)在读写次数、读写速度、低功耗以及材料制造工艺光刻工艺等都有突破性进展,目前芯片已在代工厂进行流片 永安行
磁阻RAM是一种新的有前途的计算机内存技术。由于几个原因,MRAM有可能成为通用存储器解决方案。特别是,它提供了高速和几乎无限的可靠性,静态RAM(SRAM)等低延迟,以及高密度和电源效率。与传统闪存一样,它是非易失性的。此外,它能够抵抗极端温度和辐射。
英国初创公司LoMaRe开发了一种正在申请专利的压磁RAM技术。与当前最先进的MRAM相比,它具有许多优势,包括与闪存相比,功耗至少降低25.000倍,耐用性更高,并允许在高温下运行。这家初创公司的解决方案在汽车、物联网 (IoT) 和计算领域找到了应用。
报告期内,公司聚焦核心技术持续构建和完善知识产权体系,新增专利授权20项,其中授权发明专利5项;新增专利申请44项,其中发明专利23项。截止报告期末,公司拥有有效专利272项,其中授权发明专利54项。公司已连续两届入选全球氢能产业发明专利排行榜(前100名)。公司投资的磁存储芯片(PMRAM)在读写次数、读写速度、低功耗以及材料制造工艺光刻工艺等都有突破性进展,目前芯片已在代工厂进行流片 永安行