#SiC# 继续学习分享贴，又一有望实现国产替代的领域，CN智造，加油#国产替代#
#天岳先进# 根据日本权威行业调研机构富士经济2月份发布的最新报告显示，在2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率排行中，天岳先进超过美国Coherent（原贰陆公司），跃居全球第二，仅次于美国公司Wolfspeed（科锐公司）。
解决了我国在碳化硅衬底领域的“卡脖子”关键技术后，天岳先进不断实现赶超，2019年获得了华为成立的全资公司哈勃等多家国内知名投资机构的战略投资，并开始在国际市场有一席之地，根据Yole 研究报告，自2019年以来，天岳先进在半绝缘型碳化硅衬底全球市占率连续4年稳居世界前三。在2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率排行中，天岳先进跃居全球第二。
碳化硅衬底尺寸越大、良率越高，其单位成本就越低。目前全球碳化硅衬底主流尺寸为6英寸，占据近80%市场份额，8英寸则不到1％，但正在向8英寸衬底过渡中，国内碳化硅衬底主流尺寸则为4英寸并向6英寸衬底过渡。$天岳先进(SH688234)$
就6英寸而言，国内玩家众多，天科合达、山东天岳、同光晶体、山西烁科等龙头在6英寸市场竞争实力强。据数据统计，国内厂商现有 6 英寸衬底产能约为15万片，天岳先进、东尼电子、露笑科技等厂商积极开展拓产项目，根据不完全统计，现有国内厂商规划产能投产后总产能将超过 200 万片/年。即便碳化硅产业当前主流仍以6英寸衬底为主，但进军8英寸衬底被视为降低成本的关键之举，国际巨头正纷纷抢占8英寸先机。
意法半导体此前就与Soitec合作来量产8英寸SiC衬底；碳化硅衬底龙头Wolfspeed在2022年、2023年相继启动两座8英寸碳化硅工厂；日本半导体厂商罗姆预计将于2023年开始量产8英寸碳化硅衬底；德国功率半导体厂商英飞凌计划在2023年开始量产8英寸衬底，2025年量产8英寸碳化硅器件；Coherent在2022年3月宣布将在美国伊斯顿大规模建设近30万平方英尺的工厂，以扩大6英寸和8英寸SiC衬底和外延晶片的生产。
目前国内8英寸碳化硅衬底还没有形成大规模供货能力。但值得注意的是，我国已有部分头部企业开始抢入到8英寸建设中。据不完全统计，国内有十余家企业与机构在研发8英寸碳化硅衬底，包含烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、中科院物理所、山东大学、天科合达、科友半导体、乾晶半导体等。合盛硅业披露其8英寸碳化硅衬底已经实现了量产。$合盛硅业(SH603260)$ $三安光电(SH600703)$
与此同时，国产碳化硅衬底、材料等环节巨头也已经频频联手国际半导体巨头，这背后，一方面是国际龙头对国产碳化硅衬底厂商技术进步的认可，另一方面也是看中中国新能源市场机遇，寻求本地化供应。
比如：英飞凌与天科合达、天岳先进宣布“牵手”合作，两家国内厂商将为英飞凌供应6英寸SiC材料；三安光电和意法半导体共同宣布，将斥资50亿美元在重庆建立一座8英寸SiC衬底厂，据意法半导体的估算，到2030年该厂将帮助意法半导体实现50亿美元的SiC营收；中电化合物也宣布与韩国Power Master签订了长期供应8英寸在内的碳化硅材料的协议，公司预计未来3年碳化硅产能将达到8万片。