IT之家 3 月 4 日消息，据 TheElec，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 内存的 MR MUF 工艺，与 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。经过测试，该公司得出结论，MUF 不适用于高带宽内存 (HBM)，但非常适合 ...