但这个周期有所不同,大摩指出:
与过去相比,当前周期中行业的资本支出远低于维持产能所需的水平,自2022年第三季度以来产能一直在下降。
这种投资的缺乏正发生在内存供应链迅速转移到HBM的之际,HBM每比特所需的晶圆容量是普通DRAM的两倍,其生产良率也较低。
大摩预计,到2025年,HBM市场份额占比将增长,整体市场供应不足将更明显:
预计到2025年,HBM总可寻址市场(TAM)预计将显著增长,从2025年的370亿美元增长到2027年的700亿美元,市场份额将占整个DRAM市场的30%以上,混合价格将上涨10%以上。
从2025年开始,智能手机和个人电脑的人工智能升级周期可能需要额外的内存产能,预计市场届时将面临严重的供应短缺,HBM的供应不足率为-11%,整个DRAM市场的供应不足率为-23%。
价格方面,SK海力士和三星电子都在积极扩展HBM和DRAM的生产能力,预计2024年第二季度DRAM合同价格将环比上涨13-18%,第三季度可能上涨10-15%。摩根士丹利表示:
给予收益预测和价格目标变化,我们将DRAM和NAND的第三季度定价展望分别上调至13%和20%,而之前的预测为DRAM 8%和NAND 10%。客户行为发生了变化,确保供应越来越多地优先于定价,来自中国的订单智能手机oem应该会继续上升到第三季度,PC ODM/ oem将继续确保内存供应,同时为某些大型PC oem保持接近20周的库存。行业产量仍低于需求,减产仍在继续,而需求环境的改善也为24年下半年的价格前景带来了更大的确定性。
行业龙头公司市场份额将进一步增长AI驱动的内存“超级周期”将为行业战略地位的公司:SK海力士和三星电子带来份额的增长。
大摩将SK海力士目标价提高11%至30万韩元,较目前有约30%的上涨空间,其预计海力士2024年和2025年的每股收益将比市场预期高出59%,海力士2024年第三季度的业绩指引将会更高。
大摩将三星电子目标价提高至10.5万韩元,较目前有36%上涨空间,并指出三星电子获得英伟达的资格在2025年将至关重要。对三星来说,最好的结果是明年获得HBM3E资格,以避免GPU需求出现任何供应中断。最糟糕的情况是,三星可能需要将超过50亿Gb的HBM晶圆产能转向商品DRAM市场。如果三星的HBM晶圆产能转向DRAM,这可能会对DRAM市场供应产生显著影响,增加供应增长。
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