301308江波龙，（高开3个点以上则放弃，等下一只，最好1个点以内进场）摩根士丹利：DRAM将迎供需失衡“超级周期” 明年标准型DRAM供应缺口高达23%
6月12日讯，摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%，将比HBM更缺，为近年罕见，价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。
大基金三期有一个猜想就是AI芯片方向，江波龙于6月4、7日接待机构调研时表示，公司是国内少有的eSSD和RDIMM两类产品协同发展的企业，其中公司eSSD已经在多个核心客户处完成了认证和量产，广泛应用于通信、金融、互联网等行业，并在多个客户处取得了极高的性能和质量评价；RIDMM方面，公司已经完成了从16G到96G所有主流容量产品的布局。
随着AI技术广泛应用带来的海量的数据增长，对存储系统提出了更高的要求。16GB DRAM将成为新一代AI手机的基础配置，SoC以外的硬件需要一同配套升级。随着AI技术的不断进步和应用场景的不断拓展，AI手机渗透率大幅增长，将带动新一轮换机潮，存储市场将迎来更加广阔的发展空间。