$东微半导(SH688261)$ 东微的这个结构确实和其它厂商的沟槽结构不同，网页链接，尤其是源极的厚氧化层，和薄氧化层的应用，目前只有cree用平面结构，其它厂商都用沟槽结构，沟槽结构的优点就是导通电阻小，但垂直栅做不均匀，击穿电压会降低，东微的结构专利就是解决这个问题。我的知识不足以判断这个结构的好坏，但sic器件的结构和硅的dmos超级结很接近，东微在硅mosfet上的技术积累能够保证在sic器件上的领先。