$士兰微(SH600460)$ 士兰SiC电动汽车主驱功率模块已开始上车，已开始大批量交付某新能源大厂，碳化硅芯片产线产能扩充在抓紧进行中。
（一）士兰1200V 13.5mΩ SiC 单管 MOSFET芯片 ，是自主工艺打造的平面型碳化硅芯片，具有低比导通电阻和优异的温度特性，动静态性能比肩国际顶级厂商。
该芯片已通过完整的可靠性测试，并达到量产水平，特别适用于主驱逆变器中高电流输出能力和高功率密度应用，并满足高可靠性需求。
（二）士兰SiC模块系列
是基于上述SiC单管 MOS芯片的六单元拓扑模块。
该模块适用于纯电动汽车等应用，具有高阻断电压、低导通电阻和高电流特点，
单芯片导通电阻达到甚至优于国外同级别器件水平；
封装方面攻克纳米银烧结、铜线键合技术并实现量产。
2023年10月30日，荣获“第五届硬核芯生态大会暨2023汽车芯片技术创新与应用论坛”“2023年度硬核芯最佳功率器件奖”。
全球新能源汽车面临三大技术趋势：一是800V高压化快充，二是整车电驱系统集成化，三是智能化与电动化的融合发展。
随着技术难题的逐步攻克，国内外车企纷纷推出大功率高压快充车型，掀起了一轮800V电压平台车型的发布热潮。根据国内主要车企发布的800V及以上高压快充车型规划，2023年满足3C以上高端高电压平台车型将密集上市，而到了2025年，主流车型都将支持高压快充。预计到2026年，800V及以上高电压平台车型的销量将达到580万辆，占国内电动汽车市场的50%。
此外，未来新能源汽车行业的重要趋势之一是整车电驱系统集成化。通常，电驱动系统主要由大、小三电总成组成。然而，随着整车驱动系统的高度集成化以及电力电子器件与系统技术的进步，大小三电总成呈现出进一步融合的趋势。具体来说，一体化整合电机、电控、减速器、充电机（OBC）和电源转换器（DC/DC）等部件进行物理集成，多合一总成逐步从单纯的物理集成向电气集成发展。通过这种技术，可以让电驱体积更小、重量更轻、效率更高，同时大幅降低成本、节省车内空间。