新凯来（SiCARRIER）以深圳为创新中心，构建了覆盖半导体制造全流程的装备体系，在关键工艺（如外延、刻蚀、薄膜）及量检测领域实现技术突破。其产品以高精度、高稳定性、智能化为核心竞争力，致力于打破国际垄断，助力中国半导体产业自主化进程。
一、公司概况
总部与研发网络：总部位于深圳，国内研发中心覆盖上海、北京、西安、武汉等城市，并设有海外分支机构。
研发体系：构建“基础材料工艺-零部件-装备”全链条研发能力，聚焦半导体工艺装备及量检测设备的开发与制造。
战略目标：打造半导体产业基础平台，成为全球领先的装备供应商及客户信赖的合作伙伴。
二、核心产品线：半导体工艺装备
1. 扩散工艺设备（Diffusion）
EPI系列（峨眉山1-3号）
技术：12英寸单片减压外延系统，支持逻辑/存储芯片的锗硅、磷硅、沟道外延等先进工艺。
特点： 多分区温控+流控系统，提升膜层均匀性； 小腔室架构+智能调度算法，降低运营成本； 自研核心部件，实现性能与稳定性优化。
应用场景：源漏极外延（SiGe:B、SiP）、超晶格叠层、埋层外延（Si/Ge）等。
RTP系列（三清山2/3号）
三清山2号：超快尖峰退火设备 技术：磁悬浮升降+背照式退火，适用于逻辑/存储芯片的源漏退火、硅化物生成。 特点：非对称多区补偿技术提升均匀性，毫秒级温控提高片间重复性。
三清山3号：均温/尖峰退火设备 技术：低温退火+氦冷流场控制，支持阱退火、深N阱退火等工艺。 特点：辐射式超低温测温，热预算调节灵活。
2. 刻蚀设备（Etch）
武夷山1号MASTER（介质刻蚀） 技术：全对称CCP刻蚀架构，支持接触孔、硬掩膜刻蚀。 特点：原子层刻蚀技术减少材料损伤，多区温控优化均匀性。
武夷山3号（硅/金属刻蚀） 技术：ICP电感耦合等离子体，适用于栅极、鳍刻蚀。 特点：三区分气+百区ESC温控，提升自由基分布均匀性。
武夷山5号（高选择性刻蚀） 技术：自由基刻蚀，解决伪栅去除、无定形硅回刻等难题。 特点：创新匀气方案提高选择比，支持氧化硅/硅选择性组合刻蚀。
3. 薄膜沉积设备（Thin Film）
PVD系列（普陀山1-3号） 普陀山1号：平面金属膜（AlOx/TiN/W等），用于刻蚀阻挡层、DRAM位线。 普陀山2号：中道金属互连（MOL）及硬掩膜，低颗粒缺陷。 普陀山3号：后道金属互连，高均匀性沉积。 技术亮点：全靶腐蚀算法提升靶材利用率，智能调度算法优化产能。
ALD/CVD系列 阿里山系列：高保形性介质膜（ALD）、后道刻蚀阻挡层。 长白山系列：介质/金属薄膜（CVD），覆盖高深宽比填充需求。
三、量检测装备体系
1. 光学检测设备
有图案晶圆检测： 岳麓山BFI（明场）、丹霞山DFI（暗场），识别微小缺陷。
无图案检测： 蓬莱山PC（表面缺陷）、莫干山MBI（空白掩模缺陷）。
2. 光学量测设备
天门山系列：DBO（衍射）与IBO（图形）套刻量测，支持先进制程对准精度。
3. PX量测设备（物性分析）
沂蒙山AFM：原子力显微镜表面形貌分析。
赤壁山系列：XPS（成分分析）、XRD（晶体结构）、XRF（元素检测）。
4. 功率检测设备
RATE-FT：功率器件（单管/模组）电性能测试，满足第三代半导体检测需求。
四、核心技术优势
自主可控能力：自研射频系统、温控模块、核心零部件，保障供应链安全。
智能化设计：智能调度算法、人机交互界面（HMI）提升设备效率与易用性。
工艺扩展性：模块化架构支持向先进节点（如3nm以下）演进，覆盖逻辑/存储/封装全场景。
性能指标领先： 刻蚀选择比、膜层均匀性（±1%以内）、缺陷检测灵敏度（纳米级）达国际水平。
五、市场定位与竞争力
覆盖领域：逻辑芯片、DRAM/3D NAND存储、先进封装、第三代半导体。
差异化策略：通过端到端研发体系提供定制化解决方案，降低客户综合成本。
目标客户：全球晶圆代工厂、IDM厂商、封测企业。