快闪记忆体（英语：Flash Memory），大陆简称为闪存，是一种电子清除式可程式唯读记忆体的形式，允许在操作中被多次擦或写的记忆体。这种科技主要用于一般性资料储存，以及在电脑与其他数位产品间交换传输资料，如记忆卡与随身碟。

快闪记忆体是一种特殊的、以大区块抹写的EEPROM。早期的快闪记忆体进行一次抹除掉就会清除掉整颗晶片上的资料。

快闪记忆体的成本远较可以位元组为单位写入的EEPROM来的低，也因此成为非挥发性固态储存最重要也最广为采纳的技术。像是PDA, 手提电脑, 数位随身听, 数位相机与手机上均可见到快闪记忆体。此外，快闪记忆体在游戏主机上的采用也日渐增加，借以取代储存游戏资料用的EEPROM或带有电池的SRAM。

快闪记忆体是非挥发性的记忆体。这表示单就保存资料而言, 它是不需要消耗电力的。此外快闪记忆体也具有相当低的读取延迟(虽然没有电脑主记忆体的DRAM那么快)。与硬碟相比，快闪记忆体也有更佳的动态抗震性。这些特性正是快闪记忆体被行动装置广泛采用的原因。快闪记忆体还有一项特性：当它被制成记忆卡时非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。

快闪记忆体(无论是NOR型或NAND型)是舛冈富士雄博士在1984年于东芝公司工作时发明的。据东芝表示快闪记忆体的「Flash」是舛冈博士的同事所持有泉建议的。因为这种记忆体的抹除流程让他想起了相机的闪光灯。舛冈博士在1984年的加州旧金山IEEE国际电子元件大会(International Electron Devices Meeting, IEDM)上发表了这项发明。 Intel看到了这项发明的巨大潜力，并于1988年推出第一款商业性的NOR Flash晶片。

NOR Flash需要很长的时间进行抹写，但是它提供完整的定址与资料汇流排，并允许随机存取记忆体上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的ROM晶片。当时ROM晶片主要用来储存几乎不需更新的程式码，例如电脑的BIOS或机上盒(Set-top Box)的韧体。

NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环，它同时也是早期的可移除式快闪储存媒体的基础。 CompactFlash本来便是以NOR Flash为基础的，虽然它之后跳槽到成本较低的NAND Flash。东芝在1989年的国际固态电路学会(ISSCC)上发表了NAND Flash。 NAND Flash具有较快的抹写时间, 而且每个储存单元的面积也较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的储存密度与较低的每位元成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O介面并没有随机存取外部定址汇流排，它必须以区块性的方式进行读取，NAND Flash典型的区块大小是数百至数千位元。

因为多数微处理器与微控制器要求位元组等级的随机存取，所以NAND Flash不适合取代那些用以装载程式的ROM。从这样的角度看来，NAND Flash比较像光碟、硬碟这类的次级储存装置。 NAND Flash非常适合用于记忆卡之类的大量储存装置。第一款建立在NAND Flash基础上的可移除式储存媒体是SmartMedia，此后许多储存媒体也跟着采用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick与xD卡。

快闪记忆体晶片的低阶介面通常与透过支援外界的定址汇流排行随机存取的DRAM、ROM、EEPROM等记忆体不同。 NOR Flash本身为读取操作(支援随机存取)提供外部定址汇流排；至于解锁、抹除与写入则须以区块-区块(Block-by-block)的方式进行，典型的区块大小为64、128或256位元组。 NAND Flash所有的动作都必须以区块性基础(Block-wise fashion)执行，包含读、写、解锁与抹除。

快闪记忆体与EEPROM相同属于非挥发性记忆体，因此无需任何电力便能进行资料储存，同时具有抗震与作业温度范围较广的特性，故非常适合一般消费性电子的应用。简单而言，NAND Flash与NOR Flash的不同，主要在于cell size与读写速度上的不同，因此在应用上，前者读写速度较慢，适合资料存储，因此衍生出SSD（固态式硬碟）应用，后者是速度较快，则适合程式码运作，因此需要即时反应的终端应用如手机或是游戏机等，就相当契合。

NOR Flash 原理
从NOR Flash读取资料的方式与从RAM读取资料相近，只要提供资料的位址，资料汇流排就可以正确的汇出资料。基于以上原因，多数微处理器可以将NOR Flash当作原地执行(Execute in place, XIP)记忆体使用，这意味着储存在NOR Flash上的程式不需复制到RAM就可以直接执行。由于NOR Flash没有原生坏区管理，所以一旦储存区块发生毁损，软体或驱动程式必须接手这个问题，否则可能会导致装置发生异常。在解锁、抹除或写入NOR Flash区块时，特殊的指令会先写入已绘测的记忆区的第一页(Page)。接着快闪记忆晶片会提供可用的指令清单给实体驱动程式，而这些指令是由一般性快闪记忆体介面(Common Flash memory Interface, CFI)所界定的。与用于随机存取的ROM不同，NOR Flash也可以用在储存装置上；不过与NAND Flash相比，NOR Flash的写入速度一般来说会慢很多。

NAND Flash 原理
东芝在1989年发表了NAND Flash架构，这种记忆体的存取方式类似硬碟之类的区块性储存装置，每个区块构成几个页。一般来说这些页的尺寸为512、2048或4096位元组。各个页之间彼此会有几个位元组的关联性(一般而言是12~16位元组)，这些空间用于储存侦错与纠错的校验和。以下是一些典型的区块大小与其内部包含的关连性尺寸：
• 每32个512位元组的页包含1个16kB的关连性区块
• 每64个2048位元组的页包含1个128kB的关连性区块
• 每64个4096位元组的页包含1个256kB的关连性区块
• 每128个4096位元组的页包含1个512kB的关连性区块
当写入建立在这种「页」的基础上时，抹除便只能以区块性的方法进行。 NAND Flash还有一项限制就是区块内的资料只能序列性的写入。操作次数(Number of Operations, NOPs)则代表区扇可以被写入的次数。目前MLC的NOPs是1；而SLC则是4。 NAND Flash也要求装置驱动程式、软体或分离的控制晶片进行坏区管理，例如SD卡内部便包含坏区管理与耗损平衡的电路。当一个逻辑区被高阶软体存取时，实际绘测的工作由驱动程式或控制器进行。

目前全球主要记忆体厂商的先进技术能力

三星DRAM技术制程将由3x纳米进入到2x纳米，NAND Flash技术制程由27纳米进入21纳米。 2011年第一季度，DRAM、NAND Flash及MCP的销售收入分别占三星内存总收入的54.4%、42.3%及3.3%。受惠于35纳米产出占比大幅上升，第二季度三星内存市场份额超过40%。在Mobile DRAM领域，三星已经量产30纳米制程的低功耗LPDDR2产品。

海力士公司DRAM技术制程将由44纳米进入到38纳米，NAND Flash技术制程由26纳米进入20纳米。 2011年第一季度，DRAM、NAND Flash及MCP的销售收入分别占海力士内存总收入的71.2%、19.7%及9.1%。海力士目前以50nm制程生产Mobile DRAM，2011第二季开始将新增3 万片的月产能，年底计划将非PC 的DRAM 的比重提高到60%。

日系厂商东芝与Sandisk公司共同投资NAND晶圆厂，当前采用19nm制程技术。

尔必达2011年量产30纳米制程的DRAM产品。尔必达已将重心从标准型DRAM转向Mobile DRAM，并导入30纳米制程生产后者。 Mobile DRAM营收已占尔必达DRAM营收50％以上。

美光科技现行制程技术为42纳米，37纳米处于样品测试阶段。 2011年第一季度，DRAM、NAND Flash及NOR的销售收入分别占美光科技总收入的47%、31%及19%。

台系厂商旺宏为全球及第四大NOR Flash 制造商。 2011年第一季度，其ROM技术制程以65纳米为主，二季度45纳米将出样品。旺宏NOR Flash技术制程以110纳米为主，二季度75纳米产品将大批量生产。旺宏1Q11 ROM 营收比重占41％、NOR Flash 占51％、Foundry Business Group 占8％。

华邦科技2011年主要成长动力为Nor Flash，其中Serial Nor Flash占其Flash出货约9成。 2011年第一季度，Nor Flash、利基型DRAM及Mobile DRAM分别占华邦科技总收入的31%、36%及28%。其Mobile DRAM客户主要为Micron 与Spansion。

Flash产品分类及应用情况
快闪记忆体Flash的应用范围非常广泛，基本上可以根据其储存内容之不同区分为Code Flash(储存程式码)及Data Flash(储存一般资料)，此二种Flash电晶体结构不同，产品设计及制程技术互不相通。目前Code Flash动作方式有NOR及DINOR二种，发展厂商分别为Intel、Sharp、AMD、富士通、东芝与三菱两大阵营，主要产品应用为手机、路由器、Set-top- Box、DVD、HDD、PC及周边等；Data Flash动作方式则有NAND及AND二种，发展厂商分别为东芝、三星与日立，主要产品应用为数位相机、MP3及资料储存卡等。

Flash用途和性能要求详见下表

研究机构集邦科技预估，2012年整体NAND Flash市场产值将较2011年成长20%，由220亿美元拉升至260亿美元。

集邦科技看到2012年NAND Flash需求成长动能，预估产值将可以成长20%，达到260亿美元的水准。从需求端来看，受惠于智慧型手机、平板电脑与固态硬碟的成长，集邦科技预估，集邦科技预估，2012年全球智慧型手机出货力道受惠更多中低阶的产品线带动下，可望达到将近6亿支的水准，较2011年的4.4亿支成长将近40%。

至于平板电脑的部分，在Android作业系统的软硬体整合与应用程式的发展逐渐展现竞争力之际，可望与苹果的iOS、微软即将推出的Windows 8一同拉抬平板电脑的销售，集邦科技预估，2012年的平板电脑将有机会达到7,000万台的规模。

另外，在超薄型笔电（ultrabook）部分，集邦科技认为，在英特尔力拱下，2012年超薄型笔电的渗透率也将有机会达到整体传统笔电出货的10%，而为了符合英特尔对于笔电的效能与开机时间的规范，固态硬碟将成为不可或缺的重要角色。同时，云端运算的兴起则带动伺服器需求增加，亦牵引出更多伺服器等级固态硬碟的应用。

从供给面来看，集邦科技表示，尽管全球景气变数升高，不过包括三星、东芝、美光与英特尔仍持续扩充NAND Flash产能，同时追求制程微缩、成本下降，预期2012年NAND Flash生产位元成长率将约68%，贴近需求成长，而平均销售单价在制程转进2X奈米与1X奈米下，将较2011年下滑近30%，可望带动系统厂商对于SSD与其他NAND Flash产品应用的接受度。

苹果所推出的iPad与iPhone带动其他业者加速开发平板电脑与智慧型手机，其中平板电脑多采用eMMC嵌入式储存装置，容量从16GB/32GB/64GB不等，直接创造新的NAND Flash需求；而iPhone所带动的内建式储存装置更是让其他手机业者也纷纷群起效尤，推出一系列以eMMC (Embedded MultiMediaCard) 或是其他客制化的NAND Flash作为内部储存用的智慧型手机。

预估2012年全球记忆体市场将成长10.8%，DRAM成长10.9%、NAND Flash成长14.8%、NOR Flash衰退4.6%。

全球NAND Flash产品市场发展现况与预测
从NAND Flash产品容量来看，2011年32Gb的出货量仍高于64Gb，2012年64Gb的出货量才超过32Gb，预估2012年~2013年的主流容量为64Gb。预估2014年~2015年的主流容量为128Gb。

表五2010~2015全球NAND Flash市场预估(百万颗)

从NAND Flash产品架构来看，MLC (Multi-Level Cell)的出货比重在2011年占61%，高于SLC (Single-Level Cell)的16%，而TLC (Triple-Level Cell)比重快速提升，2011年占17%，其他架构占6%。

从NAND Flash产品供应商来看，预估三星2011年出货量为21亿颗、东芝为12亿颗、SanDisk为8亿颗、美光为6亿颗、海力士为5亿颗、其余还有尔必达为6百万颗，台湾厂商约为2千万颗。台湾NAND Flash厂商目前产量仍低，预估2012年可达5千万颗。

市场研究公司DRAMeXchange最新发表的数据显示，2011年第四季度全球NAND快闪记忆体市场销售收入为48.9亿美元，环比下降8.6%。三星电子仍然是这个市场最大的供应商。

2011年第四季度NAND快闪记忆体晶片出货量环比增长大约5%，但是，平均销售价格环比下降了13%。快闪记忆体卡和快闪记忆体硬碟的零售量仍然很低，但是，出现了智能手机和平板电脑等系统的OEM厂商的补货需求。

三星从智能手机和平板点市场的订单需求中得到了好处。这种需求抵消了存储卡和优盘订单的疲软。三星电子第四季度的NAND快闪记忆体晶片出货量持平，但是，平均销售价格下降了大约10%。三星电子第四季度的市场份额为34.6%，排名第一位。
三星2012年第一季度的NAND快闪记忆体晶片出货量预计将环比增长10%以上，主要是来自系统OEM厂商的订单。

排名第二位的东芝第四季度的NAND快闪记忆体晶片出货量持平，平均销售价格有所下降。东芝的市场份额为29.7%，排在三星电子之后。

海力士半导体第四季度排名第三位，市场份额13.7%。美光科技排名第四，市场份额为13.3%。英特尔排名第五，市场份额为8.8%。

东芝2011年出货量市占率(颗数)约22%，但营收的市占率却达27%，显示出东芝的NAND Flash单价相对高于平均值。

NAND制造商正朝着2x奈米制程节点迈进，而各家厂商不太相同，三星(Samsung)是27奈米，美光(Micron)是25奈米，东芝是24奈米，海力士(Hynix)则是26奈米。其中三星无疑是产量与获利之王，但却不一定是NAND制程技术的领先者。

在多层单元(multi layer cell)制造技术上，三星的起步较晚，但现在该公司已经同时具备3x奈米与2x 奈米技术能力；三星2011年将迈入27奈米制程节点，将让产品成本比3x奈米制程降低35%。

NAND FLASH 市场和产品应用现况

市场研究机构IHS iSuppli 估计，在全球平板装置应用之NAND快闪记忆体市场贡献近八成的苹果(Apple)，将在2015年以前继续稳坐平板装置NAND采购大户宝座。

在2011年，苹果iPad 的NAND快闪记忆体总使用量，占据该年度整体平板装置NAND位元出货量的78%，较2010年的92%略减。尽管竞争对手不断涌现，IHS iSuppli 认为苹果仍将在2012年维持平板装置应用NAND快闪记忆体采购量龙头地位，占据整体NAND位元出货量的72%；到2015年，苹果仍将是该市场采购大户，贡献整体NAND位元出货量58%。

「苹果蝉联平板装置用NAND快闪记忆体市场采购大户，不只反映了其iPad在市场上的主导地位，也显示该公司的记忆体使用量之庞大。」IHS iSuppli记忆体产业分析师Dee Nguyen表示：「为了在平板装置市场维持其高阶形象， iPad 所使用的NAND记忆体容量比其他竞争产品高；也因为如此，苹果iPad将继续在未来几年推动平板装置用NAND市场销售量成长。」

IHS iSuppli预期，整体平板装置用NAND快闪记忆体位元出货量，将在2015年达到163亿GBs (gigabytes)，该数字在2011年为16亿GBs；此外到2015年，平板装置用NAND快闪记忆体将占据整体NAND出货量的17%，该比例在2011年为9%。

2012年最新推出的New iPad 记忆体容量与前一代产品相同，有16GB、32GB与64GB三种选择，每种记忆体容量选项的价差大约在100美元。 IHS iSuppli估计，每台iPad的平均NAND容量密度，在2012年将成长9.4%，来到33.8GBs。

根据IHS iSuppli的观察，其他与iPad直接竞争的高阶平板装置对NAND需求量并不高，就算是最成功的非iPad平板装置，所搭载的NAND快闪记忆体容量也比iPad小很多；该机构认为，这类平板装置产品的定价比苹果高出太多。估计非iPad平板装置所搭载的平均NAND密度在2012年为每台20.2GBs，对整体NAND市场出货量的贡献度仅3.2%。

不过虽然iPad是NAND快闪记忆体消耗大户，该系列产品对另一种记忆体DRAM的需求量却很有限。根据IHS iSuppli 估计，第一代iPad仅使用了2Gbs (gigabits)的行动DRAM，第二代iPad的行动DRAM使用量则为4Gbs；尽管iPad 2的NAND容量增加，但DRAM容量仍比大多数竞争产品少，甚至少于2011年上市的智慧型手机产品。

「苹果可降低iPad的DRAM使用量，是因为其iOS 作业系统与硬体设计是串联设计，并且为彼此进行最佳化。」IHS iSuppli记忆体市场资深分析师Mike Howard表示：「Android平台就无法享有这种优势，因此据统计，2011年有许多款上市的Android平台手机与平板装置，是搭载8Gbs的DRAM。」

IHS iSuppli认为，最新推出的iPad因为拥有较高解析度的显示器与增强的绘图处理功能，可能因此将DRAM使用量提升至8Gbs；不过同时间在2012年推出的Android平板装置大多采用16Gb行动DRAM。

新崛起的平板装置到目前为止并未对整体DRAM供给带来压力，但IHS iSuppli指出此情况将会在几年之后有所改变；估计在2012年，平板装置在整体DRAM市场出货量的贡献度为3.5%，该比例可望在2016年成长至8.1%。「对于一种原本不存在，却能在六年内贡献整体DRAM市场消耗量近10%的产品来说，这是很罕见的。」Howard指出。
使用者体验在近年已成为科技产业在进行产品设计相当重要的方向，因此在系统设计上，即时反应所需要的高速性能就成为业者们所在意的重点之一，而快闪记忆体的速度，就成了众多终端应用不可或缺的利器。

快闪记忆体（Flash Memory）在2011年初有着不错的市场讯息传出，飞索半导体（Spansion）与美光科技（Micron）各自在NOR Flash与NAND Flash各自提出新的解决方案与既有产品线在SSD领域的进展。单以NAND Flash而言，根据iSuppli 的估计， 2011年平板装置对NAND Flash的需求量将由2010年的4.768亿GB提升至23亿GB，年成长率达382.4%；该数字并将在2014年进一步增加至123亿GB，可以想见快闪记忆体整体市场规模之大。

固态硬碟（Solid State Disk）成NAND Flash市场推波助澜的助力
固态硬碟(Solid State Drive；SSD)为NAND Flash应用领域中的一颗新星，虽其目前占NAND Flash总体出货量比重仅约6%，然市场预估2011年SSD应用比重可望呈4 ~5倍成长，约达27%，可说是未来3~5年NAND Flash新兴应用中，成长幅度最快者。
看好未来几年SSD在NAND Flash应用的发展潜力，包括NAND Flash晶片厂、记忆体模组与记忆卡厂、专业SSD厂，及其他跨领域业者，无不积极抢攻SSD市场，企图借SSD，带动新一波NAND Flash产业荣景。

目前投入SSD领域业者，以三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)与英特尔(Intel)等NAND Flash晶片厂居主导地位，主因这些业者对SSD关键零组件(NAND Flash晶片与控制IC)的掌握度较高，且较其他类型业者更具营运规模与产能、资金优势，不但有助供货稳定，连带SSD制造成本也可压至最低，而这些SSD大厂因考量市场与生产上的经济规模，以PC为主要发展领域，包括小尺寸与低价PC，以及主流尺寸NB，皆已在其未来布局中。

近年来，随着iPod与iPhone带动可携式多媒体播放机与智慧型手机内建NAND型快闪记忆体趋势，NAND型快闪记忆体厂商一直希望笔记型电脑也能够采用NAND型快闪记忆体的固态硬碟（Solid State Disk），以进一步带动NAND型快闪记忆体的需求。

不过于2009年遇到经济衰退的缘故，使得市场对于NAND型快闪记忆体需求突然之间下降。当然也让固态硬碟进入笔记型电脑的梦想破灭！毕竟，固态硬碟比起硬碟（Hard Disk）还要来得贵。这也是为什么后来许多小笔电都改采硬碟的原因。

简单来说，2009年与2010之间，在NAND型快闪记忆体的价格维持在高档之下，让厂商对于固态硬碟减价的动能并不太大，所以这两年之间，固态硬碟的价格一直无法满足产品制造商的要求。

可是于2010年4月iPad面市开始，固态硬碟的机会来了。市场人士万万没想到苹果的iPad于2010年的出货量将超过1千万台，当然也带动固态硬碟的需求。于2010年10月苹果又宣布新一代Macbook Air将全面采用固态硬碟。根据分析师的判断，这将带动其他笔记型电脑厂商跟进，所以集邦科技的预估将成长150%是合理的预测。

集邦科技认为，从需求端来说，未来高画质影音与大容量档案传输的需求不断提升之下，对于固态硬碟的需求当然会随之提升。从供应端来看，由于半导体制程不断精进，所以从2010年第四季开始NAND型快闪记忆体厂商将陆续转进2x奈米制程，所以制造成本下降是必然的趋势，这更有助于固态硬碟价格下跌，进而加快厂商采用固态硬碟模组。

对于NAND型快闪记忆体厂商来说，一旦市场开始转进平板机、平板电脑与笔记型电脑之后，则固态硬碟的市场将加速打开，因此未来几年NAND型快闪记忆体产业，将开始出现爆发性的成长。不过，在2009年跌倒的NAND型快闪记忆体厂商也不愿贸然大举投资，以免突然又遇到不可预测市场让其产生庞大亏损。

全球NOR Flash产品市场发展现况与预测

从NOR Flash产品容量来看，2011年64Mb与128Mb的出货量相近，约有8亿颗以上，而16Mb与32Mb的市场量也不少，都有约7亿颗。预估2010年~2015年的主流容量为64Mb与128Mb。

从NOR Flash产品供应商来看，2010年以美光排名第一、Spansion排名第二、三星排名第三、旺宏排名第四、Numonyx排名第五、华邦排名第六。加总台湾NOR Flash产值占全球大约18%。

NOR Flash市场供需
全球NOR Flash产业分为并列式快闪记忆体(Parallel Flash)和序列式快闪记忆体(Serial Flash)，目前处于产业规格交替时期，过去全球Parallel Flash比重较高， Serial Flash营收规模可能只有前者的50%，但未来产业成长趋势会在Serial Flash身上，市调机构预估，2013年全球Serial Flash市场规模可正式超过Parallel Flash。

NOR Flash产业近年出现明显的供不应求，主要是终端需求大爆发，而供给端不但是多年未扩产，更加上飞索(Spansion)的破产，以及SST(Silicon Storage Technology)和恒忆(Numonyx)相继出售，导致供给缺口进一步扩大。

从需求面来分析，从个人电脑(PC)到各种消费性电子和通讯产品等，都需要用到NOR Flash晶片，但2010年情况特殊的是，应用产品对于NOR Flash需要的数量和容量同时大幅增加；例如过去1台桌上型电脑(DT)用的NOR Flash晶片都以8~16Mb容量为主，但2010年新机种都增加至32~64Mb容量水准。

再者，很多消费型电子产品过去1台机器只需要用到1颗NOR Flash晶片，新机种都要用到2~3颗晶片；由此可知，在用量和容量同时增加下，NOR Flash终端需求是呈现大幅增长的情况。

在供给端方面，过去NOR Flash晶片虽然是各种电子产品的必需品，但一直都不受重视，因此也没有业者大幅扩产，反而还有很多业者退出市场，造成全球NOR Flash产业大洗牌，使得NOR Flash缺口加遽。

NOR Flash产业原霸主飞索在2009年初宣布破产至今，一直未能宣布脱离破产保护，原本取代飞索成为新霸主的恒忆，也在2010年初宣布卖给美系记忆体美光(Micron)，而同时间Microchip也宣布购并SST，国际大厂在短期间内几乎不可能有扩产的动作，导致许多订单都流向台系NOR Flash业者。

台系主要的NOR Flash供应商为旺宏、华邦和宜扬，其中旺宏在序列式快闪记忆体(Serial Flash)市场中全球市占率第1，客户族群以通讯和消费性电子产品为主；华邦2010年NOR Flash业务也是大幅成长，且获得众多一线品牌大厂的订单，客户族群以消费性电子产品为主；宜扬则是纯IC设计公司，在南韩晶圆代工厂投片，客户以手机族群为主。

快闪记忆体(Flash)为非挥发性记忆体中的主流，区分为NOR Flash和NAND Flash 2种技术。 NOR Flash是由科技大厂英特尔(Intel)所发展出来的架构，读取速度较NAND Flash快很多，且可在单位区块(Block)上进行读写的工作，特性为高电压、需要较长的抹除时间和可大量的抹除区块，主要是应用在程式指令的储存与读写上，因此又称为Code Flash。

NOR Flash使用范围相当广，应用的方式以少量多样化的型态出现较多，目前最大的终端应用仍是以手持式相关产品为主，近几年在NAND Flash应用已逐渐追上NOR Flash，未来NOR Flash应该是专注于嵌入式的记忆体市场，目前全球NOR Flash制造商包括英特尔、Spansion、SST、旺宏等。

台湾记忆体大厂旺宏是全球第一大Serial Flash供应商，2011年上半全球市占率32~33%。旺宏NOR Flash占公司营收约68%，目前NOR Flash有79%采110nm制程为最大宗、采130nm制程占11%、采150nm制程及以上占10%，目前75 nm制程的512Mb parallel NOR Flash产品已设计完成。在NOR Flash应用领域部分，资讯应用及通讯应用都占34%，消费性应用占25%，其他占7%。而通讯应用中的手机应用占NOR Flash比重9%，比重逐渐增加中。手机应用之1.8V serial NOR Flash产品已通过客户认证，预期未来营收将会增加。

华邦NOR Flash占公司营收约34%，月产能约1.1万片十二吋晶圆。手机应用占NOR Flash比重10%，华邦积极供应手机用的Serial NOR Flash产品，比重逐渐增加中，下一步往58nm迈进。另外，华邦2011下半年也积极往Parallel NOR Flash产品发展。

从NOR Flash产品架构来看，Serial NOR Flash因性能/价格比优于Parallel NOR Flash，所以未来将逐渐取代Parallel NOR Flash在手机应用的地位。

NOR Flash应用开始从Parallel Flash转到Serial Flash，在手机领域的趋势最为明显，其他消费性产品也逐渐跟进，2011年Serial Flash应用大扩展的趋势已相当显著。
虽然全球NOR Flash市场中，美光(Micron)、飞索(Spansion)、三星电子(Samsung Electronics)仍是前3大厂，但以Serial Flash领域来看，台厂旺宏和华邦分别位居第1 、2名，但外商也开始积极进入Serial Flash市场。

再者，过去Parallel Flash为市场主流，统一化的时程也较早，其介面标准为Common Flash Interface(CFI)，现在Serial Flash应用普及化，日前JEDEC也宣布将Serial Flash规格标准统一化，成为Serial Flash Discoverable Parameter(SFDP)， NOR Flash业者生产的SPI晶片，都会陆续导入SFDP规格。

SFDP提供Serial Flash自行揭露内部功能的标准沟通语言和参数对照，让系统厂更容易设计。NOR Flash应用领域涵盖个人电脑(PC)、通讯、机上盒(STB)、手机、硬碟、DVD播放器等消费性电子产品。

台湾厂商位于NOR Flash领域的現況
为了维持与国际大厂间的竞争实力，台系NOR Flash大厂旺宏和华邦也都致力于制程微缩。旺宏上半年制程以0.13微米为主轴，同时也提升0.11微米制程的比重，日前更宣布原本2011年才会量产的75奈米制程提前1季量产，预计于2010年第季4问世；而2011年更将快速转进57奈米制程。华邦2010年制程为90奈米制程，年底前将转进58奈米制程，同时也是加快制程微缩的脚步。

Flash 下一世代成长的关键eMMC 与SSD/iSSD
根据集邦科技(TrendForce)的统计， 2010年全球手机出货量达到13亿支，其中智慧型手机的渗透率为18%，整体出货较2009年成长将近40%，来到约2.4亿支的规模；2011年全球手机出货量可较2010年成长将近10%、达14亿支，而智慧型手机渗透率将受惠于更多平价的Android 智慧型手机兴起，达到30%~32% ，较2010年的2.4亿支大幅提升80%，至4.3亿支的水准。

eMMC为MMCA协会(MultiMediaCard Association,多媒体卡协会)所订立的内嵌式记忆体标准规格，主要是针对手机产品为主，简化记忆体的设计，采用多晶片封装(MCP)将NAND Flash晶片和控制晶片包成一颗晶片，

eMMC拥有多功能，包括储存以及取代NOR Flash的开机功能，最大的好处是，手机厂商不需要因为NAND Flash供应商或者不同制程世代而重新设计规格，需处理NAND Flash相容性和管理问题，手机客户只需要采购eMMC晶片，放入手机，不仅缩短新产品的上市周期和研发成本，且加速产品的推出速度。

快闪记忆卡各种规格当中，包括CF、MMC、SM、SD等不同的规格标准，而eMMC是由MMC卡所延伸出来的，为内嵌式记忆体的规格之一，而应用在手机的内嵌式标准规格除了eMMC，还包括SD协会设立的eSD规格，但是eMMC是内嵌式记忆体主流，已发展到eMMC4.3世代，下一代是eMMC4.4规格。

eMMC4.2制订了eMMC介面容量及速度，介面速度为52MB/s、容量>2GB；eMMC4.3则新增Booting Function、Explicit Sleep Mode、Reliable Write；eMMC4.4则强化双倍记忆体介面效能、弹性分区管理。

随着智慧型手机、平板电脑的热卖，以及实际已经对零组件市场已经产生深远影响，快闪记忆体方面的发展，试图打破过去的瓶颈，而eMMC(Embedded MultiMediaCard)介面技术，则是近期市场关注的焦点之一。按照TrendForce旗下DRAMeXchange的调查统计，目前在市场上已经有超过60％的快闪记忆体相关厂商已经在着手eMMC介面产品的开发，其中以台湾、大陆、南韩与日本最为积极。

eMMC的起源
eMMC这项规格是由国际MMCA协会(MultiMediaCard Association)所制定的嵌入式记忆体标准规格，与过去其他的储存标准规格最大的不同，是针对行动装置而来，特别是手机产品，以及目前方兴未艾的平板电脑，它们都需要轻薄的机身，因此有减少使用零组件面积的需求，在这种情况下，eMMC简化了记忆体的设计，使用多晶片封装(MCP)技术，把NAND型Flash晶片和其存储控制晶片封装在一起，打造成单一颗晶片，这样可以省去零组件耗用电路板的面积。

eMMC在设计之初，就是考量到快闪记忆体市场主流NAND型Flash，故已经打造了可以NOR型Flash的快速开机功能，也具备非常良好的储存效率。eMMC的主要优点，就是手机厂商在选用上比较方便，不用担心更换NAND型Flash厂商带来的困扰，或者是因为手机与晶片制程更新，而导致重新设计或更换零组件的麻烦。对于手机或平板电脑厂商而言，只要采购了eMMC晶片产品，设计时放在手机、平板电脑电路板上的适当位置，可以放心地让eMMC晶片担任重要的存储工作，不再需要去处理不同控制晶片、不同NAND型Flash的匹配，周边电路设计问题。 eMMC晶片可说帮助OEM、ODM厂商加快了产品开发时程，也降低了成本。

eMMC可说是一种嵌入式的MMC规格介面产物，整合了快闪记忆体与控制器IC，整个都是封装在一颗小小的BGA封装(ball grid array，球栅阵列结构)晶片里。
eMMC的规格与功能

集邦科技表示，以16GB的eMMC产品来看，eMMC的成本大约是5％到7％，NAND型快闪记忆体则是约90％。 eMMC具备高容量的弹性，支援有效读写、开机(boot)、睡眠模式、双通道资料传输率、多重磁区支援，以及系统安全强化。

不过，在过往的快闪记忆卡诸多规格，比方说CF、MMC、SM、SD等不同的规格标准，让使用者、厂商分成很多族群，不同阵营的势力会有消长，但是eMMC则不同，已经在手机、智慧型手机、平板电脑找到一定的定位，它是由MMC卡所延伸出来的，已经成为这个领域的主流，目前已经发展到eMMC4.3、eMMC4.4，最新的eMMC4.41，更加速了智慧型手机在开机与储存资料的效率。另外还有一个嵌入式记忆体标准，也就是SD协会设立的eSD规格，但其不是目前的市场主流。

我们以先前的eMMC4.2来看，当时制订的eMMC介面容量及速度，介面速度为52MB/s、容量规格则大于2GB。到了eMMC4.3时代，则新增了Booting Function、Explicit Sleep Mode、Reliable Write。近期的eMMC4.4，则强化双倍记忆体介面效能、弹性分区管理。

在2008年1月的时候，恒忆(Numonyx)那时针对无线通讯、嵌入式设计和资料储存应用推出的新产品就包括32GB容量的eMMC，是采用41奈米制程的技术打造。
2009年5月，台厂群联与海力士(Hynix)和恒忆共同开发eMMC4.4，共同开发新一代managed-NAND解决方案。

2010年1月，日本厂商东芝(Toshiba)推出64GB eMMC模组，适用于各种数位消费性产品。

在2010年我们可以留意到，随着智慧型手机热卖到一个程度，平板电脑以苹果电脑的iPad一代打头阵，也陆续创下销售成绩，这让市场对于eMMC的需求开始显著提升，已经超过传统上对MCP (Multi-Chip Package)的需求。到了2011年，eMMC已经成为推动2011年NAND型Flash需求的重要支撑。

目前的eMMC 4.41标准，可以进一步再加快行动装置的开机效率，以及资料储存速度，来满足运算能量日益庞大的行动装置App资料读写需求。在新款超轻薄笔电风潮带动下，除了苹果(Apple)Mac Book Air以外，很多PC厂商也要推出类似的超轻薄笔电，如果考量到还有采用ARM处理器的轻省笔电推出，针对快闪记忆体存储的市场中，eMMC也有一定的空间能够掌握到，而非笔电市场都被SATA规格的SSD占据。

eMMC的竞争对手SATA介面SSD/iSSD
由于包括ARM阵营与Intel方面都针对平板电脑处理器市场进行积极的竞争，都有推出支援SATA规格传输介面的处理器，这使得SATA介面SSD也有机会登上未来的平板电脑市场。以Sandisk推的iSSD来看，就是往这个方向进行。

固态硬碟(SSD)

集邦科技认为，短期内平板电脑、智慧型手机的主流快闪记忆体存储技术，应该还是eMMC规格为主，但平板电脑长期来看，SATA介面SSD应该能享有一席之地，毕竟其享有更高传输速度、读写效率的优势。以快闪记忆体相关储存大厂SanDisk为例，该公司的eMMC产品每秒读取速度为50MB，写入速度为80MB，但是其SATA介面SSD，读取与写入各达340MB每秒与450MB每秒。如果看市场上2.5吋SSD知名大厂OCZ的产品，其OCZ Vertex3 PRO更有520MB每秒的速度，SUPERSSPEED SF-D2510TM2MRB 200GB也可达到读取每秒500MB以上的速度。

这些是2.5吋的SSD，要作到在平板电脑里面的嵌入式设计，采用的颗粒数、控制晶片都需要再整合与调整，实际速度不会那么快，目前eMMC规格仍继续是新兴主流。
TrendForce认为，未来的高阶平板电脑将会有采用SATA规格SSD的产品，最快应该在2012年会发生，而中低阶与市场主流的平板电脑，仍旧是采用eMMC规格的晶片为主。

eMMC未来将与NAND型Flash同步成长
由于智慧型手机对于传统的MCP与最近兴起的eMMC需求日益增加，除了对处理器效能的要求外，对于内建式的NAND Flash 储存容量需求也将对提高不少；同时iPhone的热卖带动更多手机业者开发内建式储存的智慧型手机设计，加上2011年各家NAND Flash 厂商将加速转进2xnm制程，NAND Flash成本效应将逐渐显现的情况之下，集邦对于2011年记忆体容量需求的提升抱持乐观看法。

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