谈谈对Bonding的粗浅认知，这里主要谈间接键合：
目前HBM需要用到键合的主要是两道工序，
一个，HBM本身，HBM简单理解其实就是几个GDDR堆叠在一起，堆叠的过程就是键合的过程，这就产生了两种方案，
一种是SK海力士方案，叫做MR-MUF，用回流焊连接两层die，之后灌注高分子材料填充微凸点间空隙，华海诚科就是做这种高分子材料的厂商，
还有一种是三星，美光方案，用非导电薄膜填充微凸点之的间空隙，之后使用热压键合工艺连接两层die,
还有，就是最后将HBM，GPU键合在中介层，CoWos封装所谓的Cow就是这道工序，也就是所谓的2.5D封装,
这两种都是需要通过凸点去彼此链接的，所以叫间接键合；
键合工艺本身并不难，因为再怎么难，仍然是后道工艺，比起前道的TSV工艺，制作DDR，这种难度还是要小很多的；
关键在于如何与晶圆厂去配合，工艺需要去调和
键合设备来看，目前韩国那两家都采购于自己扶持的设备商，三星主要是SEMES，日本东丽，新川，海力士主要是韩美半导体，以及ASMPT，美光我猜测可能是日本的TEL。
键合设备相比于刻蚀设备，光刻设备制作难度小得多，刚刚提到的键合设备厂商，其实并不是世界上的主流厂商，也足以说明设备制造难度不大，关键是看怎么去和晶圆厂工艺去调和。
世界上键合设备厂商比较先进的主要是Besi，ASMPT，K&S，在键合精度，效率这几个核心指标是完全不输三星和海力士供应商的。HBM潮流下，这几家键合设备厂商有很大预期去打入产业链，值得我们去关注。