东微半导:积极布局第三代功率半导体产品 SiC研发项目稳步推进

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东微半导近期接受投资者调研时称,报告期内,公司持续进行新技术开发工作,遵循公司技术路线图稳步推进各项技术迭代,在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品领域积极进行新一代技术开发,有序推进产品从8英寸转12英寸的工艺平... 网页链接