半导体涨得欢
我们预计华为正在开启一轮国产供应链重塑,目前产业跟踪来看代工、封装、测试以及配套设备、材料已经开始实质性受益,我们绘制传导路径如下:
海思国产链传导受益路径分析:
Ø 代工订单:海思加大自研力度,追单台积电先进制程,同时传统制程向中芯国际大量转移,从而台积电、中芯国际产能利用率提升受益;
Ø 封测订单:第一重受益海思自研产品提升(总盘子提升),第二重受益封测订单由安靠等海外厂商向国内代工龙头长电科技、华天科技等厂商转移,从而长电科技、华天科技、通富微电等封测厂商产能利用率提升;
Ø 配套设备&材料:国内供应链占比提升后,国内封测厂追加产能,CAPEX提升,从而配套设备供应商及材料供应商或将从中受益。
1.4 半导体之存储:5G大幅催生数据存储需求
我们持续强调第四波硅含量提升周期的三大核心创新驱动是5G支持下的AI、物联网、智能驾驶,从人产生数据到接入设备自动产生数据,数据呈指数级别增长。智能驾驶智能安防对数据样本进行训练推断、物联网对感应数据进行处理等大幅催生内存性能与存储需求,数据为王。
所有数据都需要采集、存储、计算、传输,存储器比重有望持续提升。同时传感器、微处理器(MCU/AP)、通信(RF、光通讯)环节也将直接受益。我们强调,第四次波硅含量提升周期,存储器芯片是推动半导体集成电路芯片行业上行的主要抓手,密切关注大陆由特殊、利基型存储器向先进存储有效积累、快速发展进程。
存储器占半导体市场规模增量70%以上。从全球集成电路市场结构来看,全球半导体贸易统计组织预计2018年全球集成电路市场规模达4015.81亿美元,相较于本轮景气周期起点2016年增长了1249亿美元。而存储器18年市场规模达1651.10亿美元,相较2016年增长了883亿美元,占增量比重达71%,是本轮景气周期的主要推手。
我们认为利基型产品先于主流存储产品见底,其中2D SLC NAND率先见底,整体顺序:2D SLC NAND Flash→3D NAND Flash→NOR Flash→DRAM。
我们认为当前日韩贸易争端发展趋势将直接决定2019年DRAM能否提前见底甚至反转,目前三星+海力士在全球DRAM/NAND Flash领域占据绝对领先份额,在核心材料出口受限下的风险敞口分别对应约64.7%/45.8%。我们认为一旦发生实质性减产,则DRAM与NAND将在短期内结束下行周期,大概率迎来景气反转及短期价格大幅反弹。
如果不考虑日韩贸易争端或者后续迅速缓和,我们认为在当前DRAM资本开支锐减、同时下游需求随着数据中心增速恢复、5G换机周期开启带动下,有望于19Q4-20Q1见底。
东芝停电加速库存出清,利基型产品率先反弹。NAND Flash在经历短期大幅跌价、去库存后,价格在19Q2进入底部区间,同时除Intel外,东芝、三星、美光、海力士均有不同程度减产,下游库存水位率先见底。
东芝在6月中旬的停电事件更是加速SLC NAND库存出清,东芝停电工厂为Yokkaichi市Y2-Y6,但由于恢复供电时间不同、对FAB厂影响程度不一。
从产能分布来看,Y5-Y6主要为3D NAND Flash产线,由于恢复供电较为迅速,产能影响较小。而Y2-Y4则主要为2D SLC NAND产线,断电时间目前已经近一月。我们对整体供给影响进行测算:由于东芝Y2-Y4对应SLC NAND 35-40%份额,断电一个月预计对SLC NAND全年供给影响在2.9%~3.3%(断电如持续则还存在上调可能)。
我们认为由于除东芝外的几家原厂如美光、旺宏、华邦仍至少有1.5-2月库存,因此短期较难出现供应短缺情况,但将加速原厂平稳甚至调涨去库存。从近期DRAMexchange报价来看,SLC NAND已经出现现货价格反弹现象,7月上游NAND Flash原厂的报价已开始上涨(调涨幅度在10%左右),后续不排除还可能涨价。
DRAM行业整体资本开支已经开始逐季递减,三星+海力士占比近七成,日韩贸易争端即使短期和解、资本开支递延也已经是大概率事件。若未和解预计会对中期供给产生更深远影响。
从最近三星、海力士、美光三家厂商财报口径来看,资本开支下调已经开始:
Ø 三星:将灵活地管理年度资本支出计划,设备支出占比将减少,基建占比将增加;
Ø 海力士:公司预计2019年资本支单摄→双摄→多摄,光学创新持续前进
光学创新是近年来消费电子创新放缓背景下的最大亮色,最近两年尤其体现在双摄逐渐向三摄和多摄转变的趋势,随着今年豪威科技主摄拳头产品陆续发布,有望深度受益。为什么要用三摄镜头?三摄最大的优势在于暗光下拍摄效果效果佳,并且可以突破3倍以上的光学变焦,可以支持4D预测追焦、四合一混合对焦、5倍混合变焦、10倍数码变焦等功能,背后闪光灯也有多重色温可选,感光器面积增大,可以让噪点控制更优异。
以华为为代表P20 Pro、Mate 20系列以及P30系列的热销也充分反应了市场对三摄的认可。三摄在夜拍的表现要明显优于双摄,照片效果更加清晰,细节更加清楚。而继华为之后,我们可以发现今年几乎所有主力机型都在跟进:
1)华为:P30 PRO(四摄)、P30(三摄)、nova 4e(三摄);
2)三星:S10 5G(四摄)、S10+/S10(三摄)、Fold(可折叠机型、三摄)、A70(三摄);
3)小米:小米9/9SE(三摄);
4)vivo:x27/x27 pro(三摄)、s1(三摄)
5)OPPO:reno系列(三摄)。
我们进一步对18年一季度主要新发布机型搭载方案进行统计,可以发现16款机型中已经有10款机型采用了三摄方案,渗透率高达63%。
根据Statista的预测统计,18年三摄渗透率仅为1.6%,而到了2020年三摄的渗透率有望达到24.5%。在采用三摄的机型上,安卓阵营去年开始比苹果更加积极。IDC预测2018年和2019年安卓阵营三摄的渗透率为1.2%和9%,从一季度发布机型来看,实际情况有望超预期。
后置三摄手机潜力巨大。IHS数据显示,2018年前三季度,三摄机型的普及率仅有0.5%。2019年有望成为三摄手机快速成长的元年,根据Sigmaintell(群智咨询)的预测,2019年全球三摄的智能手机出货量预计约为2.4亿台,比2018年增长12倍,华为三摄机型在其2019年出货占比中预计达31%,其他品牌的渗透率也有望达到10-20%,市场规模将迎来快速成长。
在后置双摄已成为各手机厂商旗舰产品标配后,主要品牌厂商通过导入三摄、四摄进一步提升拍摄性能已经成为确定性趋势。由于智能手机摄像头尺寸较小,单个CMOS图像传感器通光性能有限,为了实现更好的拍摄效果,将原先集成在一个摄像头上的各种功能,分解为多个单一功能摄像头(理想状态为彩色主摄、黑白辅摄、广角、长焦、虚化、视频、3D互交功能均独立分开),已成为手机摄像头的发展趋势。
产品迭代加速,豪威科技迎来赶超黄金机遇
我们为什么强调豪威科技从今年开始在消费级图像传感器领域迎来赶超黄金机遇,核心在于:
Ø 在于核心大客户及代工厂的紧密合作下,公司产品迭代加速,二季度开始3200万、4800万像素新产品陆续落地,产品结构升级同时盈利能力提升;
Ø 图像传感器升级至今已经进入48M/0.8um、64M/0.7um阶段,工艺制程逐步由55nm向40nm甚至28nm迁移,目前行业龙头Sony为IDM模式,所有产线均为成熟制程,若要继续推进制程升级则面临大幅资本开支投入或转向fabless,豪威一直为fabless轻资产模式,与下游核心代工厂合作加速,在这方面具有一定优势,能够缩小与索尼差距;
Ø 当前产业背景下国内消费电子与安防厂商加大国产供应链扶持力度,豪威作为全球前三、国内第一有望充分受益。
根据豪威科技6月11日官网公告,公司发布其首枚0.8微米,加载Purecel® Plus堆栈式技术的3200万像素图像传感器——OV32A。这款全新的图像传感器像素尺寸仅有0.8微米的OV32A,能在1/2.8''的光学格式下支持3200万像素分辨率,同时采用先进的四合一(4-Cell)像素彩色滤光设计,并且内置4-cell到Bayer的转换功能。可以4倍的低光灵敏度呈现800万像素的图像,并实现实时高性能的四分之一分辨率到3200万静态画面及视频拍摄的无缝快速转换。
同时根据公告方案,豪威将继续增强彩色主摄像头技术研发和产品开发力度,预计将于2019年二季度量产0.8um、48M级别摄像头,持续缩小同行业领头厂商日本索尼的差距。面对未来智能手机后置多摄像头功能分化趋势,北京豪威将发挥自身技术优势,在近红外、视频、黑白辅摄等技术领域增加研发投入,扩大市场份额。
我们认为豪威科技以32M及48M为代表的核心产品迭代落地、逐步放量将成为今年成长的最大动能。
智能驾驶增添新助力
伴随着双摄在手机、汽车、虚拟现实和增强现实等领域的普及,CMOS传感器的销量将会稳步上升。车载摄像头目前基本在中高端车型上已经成为标配,目前主要应用于倒车影像系统中。随着智能驾驶/自动驾驶持续渗透,采用的图像传感器产品数量将全面提升。
ADAS是利用安装在车上的各式各样的传感器,在汽车行驶过程中随时来感应周围的环境,收集数据并进行系统的运算与分析,从而预先让驾驶者察觉到可能发生的危险,有效增加汽车驾驶的舒适性和安全性。ADAS视觉系统使用摄像头采集图像信息,通过算法分析出图像中的道路环境。因此,摄像头及其CMOS图像传感器是ADAS的核心组成部分。随着ADAS的不断普及,车载摄像头领域未来将成为CMOS图像传感器主要市场之一。
据IC Insights报告显示,汽车电子、安防监控、医疗及图像识别系统正在取代智能手机和数码相机成为CMOS图像传感器的增长动力。2020年CMOS图像传感器的市场规模预计达到152亿美元,除手机摄像头外,汽车相关应用或为下一爆点,预计将占有14%的市场份额,约21.3亿美元。根据IC Insights报道,未来五年,汽车CMOS图像传感器市场将会是增长最快的市场,到2022年,年复合增长率将增长38.4%,达到15%左右的份额。
另外,安森美数据显示,2017车均摄像头数量仅为1.5个左右,相较2016年已有50%左右的增长,增速较快,预计2020年车均摄像头数量将提升至3.5个。BDO数据显示,豪威占汽车市场份额达29%,将充分受益于ADAS与自动驾驶发展。
Yole预计,到2024年平均每台汽车拥有3颗摄像头。汽车摄像头结构智能手机类似,均包含CMOS图像传感器、镜头、马达、柔性电路板等主要器件,产业链相对趋同。Yole预计全球摄像头模组产业链市场空间有望在2024年达到450亿美金,其中汽车摄像头市场超过50亿美金。豪威科技目前在车载图像传感器领域处于全球领先地位,市占率仅次于安森美旗下aptina,在德系车型具有高市占率、同时目前在中国、日本车厂中持续导入。
车载CMOS有望成为图像传感器最快增速下游应用。根据Yole Development统计数据,2016年全球车载CMOS图像传感器市场规模约5.4亿美元,占比约4.66%;2017年全球车载CMOS图像传感器市场规模约6.6亿美元,较2016年增长了23%。
1.6 半导体之射频:集成度提升,5G来临价值量大幅提升
射频前端芯片市场规模主要受移动终端需求的驱动。近年来,随着移动终端功能的逐渐完善,手机、平板电脑等移动终端的出货量保持稳定。根据Gartner统计,包含手机、平板电脑、笔记本等在内的移动终端的出货量从2012年的22亿台增长至2017年的23 亿台,预计未来出货将保持稳定。
移动数据传输量和传输速度的不断提高主要依赖于移动通讯技术的变革,及其配套的射频前端芯片的性能的不断提高。在过去的十年间,通信行业经历了从2G到3G再到4G(FDD-LTE/TD-LTE)两次重大产业升级。在4G普及的过程中,全网通等功能在高端智能手机中得到广泛应用,体现了智能手机兼容不同通信制式的能力。
为了提高智能手机对不同通信制式兼容的能力,4G方案的射频前端芯片数量相比2G方案和3G方案有了明显的增长,单个智能手机中射频前端芯片的整体价值也不断提高。根据Yole Development的统计,2G制式智能手机中射频前端芯片的价值为0.9美元,3G制式智能手机中大幅上升到3.4美元,支持区域性4G制式的智能手机中射频前端芯片的价值已经达到6.15美元,高端LTE智能手机中为15.30美元,是2G制式智能手机中射频前端芯片的17倍。因此,在4G制式智能手机不断渗透的背景下,射频前端芯片行业的市场规模将持续快速增长。
随着5G商业化的逐步临近,现在已经形成的初步共识认为,5G标准下现有的移动通信、物联网通信标准将进行统一,因此未来在统一标准下射频前端芯片产品的应用领域会被进一步放大。同时,5G下单个智能手机的射频前端芯片价值亦将继续上升。
根据QYR Electronics Research Center的统计,从2011年至2018年全球射频前端市场规模以年复合增长率13.10%的速度增长,2018年达149.10亿美元。受到5G网络商业化建设的影响,自2020年起,全球射频前端市场将迎来快速增长。2018年至2023年全球射频前端市场规模预计将以年复合增长率16.00%持续高速增长,2023年接近313.10亿美元。
以智能手机为例,由于移动通讯技术的变革,智能手机需要接收更多频段的射频信号:根据Yole Development的数据,2011年及之前智能手机支持的频段数不超过10个,而随着4G通讯技术的普及,至2016年智能手机支持的频段数已经接近40个;因此,移动智能终端中需要不断增加射频开关的数量以满足对不同频段信号接收、发射的需求。与此同时,智能手机外壳现多采用手感、外观更好的金属外壳,一定程度上会造成对射频信号的屏蔽,需要天线调谐开关提高天线对不同频段信号的接收能力。理论上,移动终端每增加一个频段,需要增加1个双工器,2个滤波器,1个功率放大器和1个天线开关。
5G对于封装需求要求提升,器件封装微小化、复杂化、集成化。5G时代采用高频的毫米波段对应更小尺寸的射频元件,其封装复杂度大幅提升,对封装过程中的连线、垫盘和通孔等结构精密度要求更高,避免妨碍到芯片上的射频功能。5G时代,由于越来越多的频段需求,在射频前端模组化趋势下,RF封装呈现集成化,SiP解决方案会得到更加广泛的应用
集成化方案尺寸小、响应快、性能好,2018年占比射频元件比重超过50%。手机轻薄化不断提升,以及射频元件数量的增加,因而在有限的内部空间,射频前端呈现了集成化的趋势。集成化除了在减少尺寸之外,还具有节省客户调试时间,缩减手机研发周期和提供更好的半导体性能两大优点。未来射频前端集成化占比会越来越高,根据Qorvo数据,在2017年已经达到了50%,2018年则成为最主要方案。
材料的多样性要求先进封装技术,SiP将脱颖而出。随着移动通讯技术的升级,射频芯片采用的工艺也越来越复杂,对PA而言最好的工艺是GaAs,对天线开关而言最好的工艺是SOI,滤波器则是采用压电材料。SOC方案难以集成这些不同材料;系统性封装SiP才能满足这些要求。因而5G时代的射频前端集成化,将采用先进封装技术。根据Yole预测,移动端RF SiP市场规模将由2018年的33亿美金增长到2023年的53亿美金。射频前端的SiP封装将进入一个快速增长期。其中,集成PA、Filter、Swtich的PAMid增长最快,在射频前端模组中的比重从23%增长到39%。