目前，单晶铌酸锂薄膜或单晶钽酸锂薄膜的制备方法主要有外延生长法，减薄抛光体材料法以及离子注入法。其中，由于铌酸锂和钽酸锂与衬底材料之间的晶格失配比较大、膨胀系数不一样等原因，采用外延生长法很难获得大面积的，均匀完整的薄膜。其次，减薄抛光体材料法不仅很难获得纳米级厚度的薄膜，而且根据该种方法所制备的薄膜质量差，对后面器件的影响比较大。所以首选离子注入法来制备单晶铌酸锂薄膜或单晶钽酸锂薄膜。
铌酸锂或钽酸锂单晶薄膜制备采取氢离子注入剥离键合方法，与新傲科技SOI绝缘体上硅晶圆制备方法相似。凯世通研发的SOI晶圆注氢机已通过验证，有望在XOI异质集成材料制备上取得突破性应用。
下面截图是我国在薄膜铌酸锂材料和薄膜钽酸锂材料上取得的成绩制备方法，以及材料的特点和应用。
