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长鑫存储成为奇梦达技术遗产的继承者

合肥产投集团 今天

    近日,中国半导体存储芯片公司长鑫存储在知识产权布局和专利来源方面取得重要进展。12月5日,长鑫存储与Quarterhill Inc. 旗下的Wi-LAN Inc. 联合宣布,就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的 DRAM 专利,长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。

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成为奇梦达技术遗产的继承者

    依据专利许可协议,长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。这些专利来自 Polaris 于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

依据独立的专利采购协议,长鑫存储从 Polaris 购得相当数量的 DRAM 专利。


    早在今年5月,在GSA MEMORY+峰会上,长鑫存储董事长兼CEO朱一明先生表示,长鑫存储2016年创建后就与奇梦达展开紧密的技术合作,从奇梦达收购了数据量2.8万亿字节(TB)的1000多万份技术文件,实现了其最初的技术积累。在此基础上,长鑫存储展开世界速度的快速迭代研发,建立了严谨合规的研发体系并结合当前先进设备完成了大幅度的工艺改进,开发出独有的技术体系,拉近了与世界先进水平的技术差距。


    如今,此次交易的达成意味着长鑫存储进一步完善了源自奇梦达的知识产权体系及专利组合。


    “长鑫存储将继续通过自主研发以及与 WiLAN 等国际伙伴的合作,不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累。”长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示。“两份协议标志着,在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障 DRAM 业务运营方面,长鑫存储采取了新举措。”

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     “长鑫存储是中国 DRAM 产业引领者。很高兴看到长鑫存储认可 Polaris 所持 DRAM 专利的价值。这两份协议表明,长鑫存储高度重视知识产权,致力于持续投入研发。我们相信,由此获得的权益将使长鑫存储在业内拥有竞争优势,助力长鑫存储持续开发 DRAM 关键技术。”WiLAN 总裁兼首席执行官 Michael Vladescu 表示。


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奇梦达的前世今生

    奇梦达曾经是DRAM行业的技术领导者,当年在46纳米堆叠式架构上成功创新及研发了在全行业应用至今的蜂巢式电容排布和埋入式字线晶体管技术,构成全行业的宝贵技术财富。


    对半导体行业发展史了解有限的人误认为奇梦达只有沟槽式技术。其实,奇梦达在发展的过程中,一方面推进沟槽式技术,另一方面也积极探索了很多不同的解决方案。根据奇梦达2005年在IEDM上发表的文章,奇梦达对堆叠式架构在电容高深宽比刻蚀及电容high K介电质应用的优势作了充分了解,提出了堆叠式作为技术主流的必然性。然而,由于经营策略不善,加之DRAM价格大滑坡,使得奇梦达失去了投资生产堆叠式DRAM的资金实力。奇梦达申请破产时,这些新技术尚未应用于量产。


    在奇梦达破产之后,公司的一部分专利回到了英飞凌集团本身,另一部分则保留在奇梦达这个主体上。由于奇梦达一直到今天还在走破产程序,其员工及技术也四散各地。


    财新网6日援引一名半导体行业资深人士的话报道称:此次长鑫存储拿到更多的技术授权和专利有防御作用。当竞争对手发起专利战,一些基础的专利可以用来“打仗”。


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data:image/gif;base64,iVBORw0KGgoAAAANSUhEUgAAAAEAAAABCAYAAAAfFcSJAAAADUlEQVQImWNgYGBgAAAABQABh6FO1AAAAABJRU5ErkJggg==

厚积薄发 探索未来

    基于授权所得的奇梦达相关技术和从全球招揽的极具丰富经验的人才,长鑫存储借助先进的机台已经把原本奇梦达的46纳米 DRAM平稳推进到了10纳米级别。今年9月,历经3年发展,长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布其自主研发的10纳米级第一代DDR4投产,一期设计产能每月12万片晶圆。这标志着我国在内存芯片领域实现量产技术突破,拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。根据预测,2020年上半年长鑫存储的产能将提升至4万片/月,预计将占全球内存产能的3%左右。

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    根据长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士的介绍,长鑫存储目前已开始了在EUV、HKMG和GAA等还没有在DRAM上实现的新技术探索。虽是全球半导体行业的新玩家,但长鑫存储对DRAM未来技术的发展有着独到的见解,不止满足于跟随和追赶,还有探索未来的勇气和信心。


    5G、AI、物联网、自动驾驶、大数据等新应用的发展将拉动DRAM内存芯片的市场需求。创新活跃、应用场景丰富的中国市场蕴含着新的发展机会。在这个新赛道上,我们将有机会掌握发展的主动权,成为新兴市场的主导者。


    我们有理由相信,基于日趋完善的专利布局,手握强大的技术“武器”,依托潜力无限的中国市场,始终坚持自主研发,秉承国际合作的理念,有朝一日长鑫存储一定能迎头赶上,发展成为一个技术领先与商业成功的中国DRAM玩家。
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