$兆易创新(SH603986)$ 12月3日，长鑫存储消息：
已开始生产 19nm计算机存储器；未来计划再建两座DRAM晶圆厂。
据AnandTech报道，长鑫存储正使用19nm工艺来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，目标是在2020年第一季度上市。
长鑫存储还将使用同样19nm技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。
更为震惊的是：长鑫存储至少制定了两条以上的10nm 级制程的路线图，做DRAM。除此之外，长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂来提高产量
长鑫存储以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。目前，项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。
图片来源：AnandTech
目前长鑫存储的月产能约为2万片晶圆，但随着该公司订单量的增长，产量也将逐渐提升。预计到 2020年底，其10nm级工艺技术的产能为12万片晶圆（12英寸）。
长鑫存储表示，其77%员工都是从事研发相关工作的工程师。今年5月，长鑫存储董事长兼CEO朱一明曾表示，从技术来源角度，合肥长鑫与奇梦达合作，并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件（约2.8TB数据）收归囊中。现如今已经完成了早期积累。
此前该公司计划于2019年初开始生产DDR4内存，但新路线图已经推迟了一年。最后，该公司还计划再建两座DRAM晶圆厂。
长鑫存储公布新技术路线图
从长鑫存储DRAM技术发展的路线规划来看，其研发的产品线包括DDR4、LPDDR4X、DDR5以及 LPDDR5、GDDR6，虽然未公布具体时间节点，但产品发展线路与三星、SK海力士、美光等国际大厂DRAM发展大体一致。全球主要的DRAM厂商三星、SK海力士、美光等目前采用的是1Znm DRAM技术。其中三星在2019年3月宣布将在下半年采用1Znm工艺技术量产8Gb DDR4，生产率提高20%以上；美光也在8月份大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品，SK Hynix也采用第三代10nm级（1znm）工艺开发出了16Gbit DDR4。
目前长鑫存储正在使用其 10G1 技术（19 nm 工艺）来制造 4Gb 和 8Gb DDR4 存储器芯片，目标在 2020 年第一季度将其商业化并投放市场，该技术将用于在 2020下半年制造的LPDDR4X 存储器。虽然在工艺上不及国际DRAM原厂，但差距在一步一步的缩小。长鑫存储还规划将采用10G3（17nm工艺）发展DDR4、LPDDR4X、DDR5以及 LPDDR5产品，采用10G5工艺推出DDR5、LPDDR5以及GDDR6产品，该技术是使用 HKMG 和气隙位线技术，并在未来导入使用柱状电容器、全能栅极晶体管以及极紫外光刻（EUV）工艺。
在DRAM产能方面，长鑫存储目前拥有3000多名员工，下设一座拥有 65000㎡ 洁净室的晶圆厂，目前月产能约为2万片晶圆，将利用10G1技术将月产能提高到4万片晶圆，规划到2020年底，其10nm级工艺技术的晶圆产能将达12 万片（12 英寸），可媲美SK 海力士在中国无锡的工厂。长鑫存储还计划再建两座DRAM晶圆厂。（来源：腾讯科技、新浪科技等）