射频前端芯片国产化机会-受益5G终端需求增加【49页】

受益 5G 商用,射频前端芯片未来可期

射频前端芯片主要组成部分及功能介绍

射频前端芯片主要应用于智能手机等移动智能终端,其技术创新推动了移动通信技术的发 展,是现代通信技术的基础。射频前端模块(RFFEM: Radio Frequency Front End Module)是手机通信系统的核心组件, RFFEM 的性能直接决定了移动终端可以支持的通 信模式,以及接收信号强度、通话稳定性、发射功率等重要性能指标,直接影响终端用户 的通信质量。

射频前端模组介于天线部分与收发组件之间。 手机射频前端主要包括功率放大器(Power Amplifier)、天线开关(Antenna Switch)、滤波器(Filter) /双工器(Duplexer)、低噪声 放大器(LNA)等器件,再加上基带芯片组成了手机射频系统。射频开关用于实现射频信 号接收与发射的切换、不同频段间的切换;射频低噪声放大器用于实现接收通道的射频信 号放大;射频功率放大器用于实现发射通道的射频信号放大;射频滤波器用于保留特定频 段内的信号,而将特定频段外的信号滤除;双工器用于将发射和接收信号的隔离,保证接 收和发射在共用同一天线的情况下能正常工作。

按照信号传输路径来看,分为发射通路和接收通路。其中发射通路的器件主要包括功率放 大器、滤波器及天线开关等。接收通路的器件主要包括低噪声放大器、滤波器、射频开关 及天线开关等。

目前,我国 5G 商用进程已完成频谱分配,开启预商用序幕。频谱分配是 5G 商用进程中 的关键节点, 18 年 12 月初,国内三大运营商正式获得全国范围 5G 中频段试验频率使用 许可,其中中国移动获 2515MHz-2675MHz、 4800MHz-4900MHz 频段的 5G 试验频率资 源;中国联通获 3500MHz-3600MHz 共 100MHz 带宽的 5G 试验频率资源。中国电信获 3400MHz-3500MHz 共 100MHz 带宽资源。我们认为本次全国范围内 5G 频段频谱使用许 可的发放,为运营商开展 5G 系统组网试验奠定了基础,开启了我国 5G 预商用序幕。

5G 除了推动传统移动频段<2.7GHz 的使用,也会推动 C-Band (3.3-4.9GHz) 和毫米波 Ka-Bands (24-40GHz)的广泛使用。 5G 通信及物联网的发展为射频器件行业带来新的增 长机遇,同时也为射频器件设计企业提出新的挑战:射频前端器件需要支持的频段数量大 幅增加;高频段信号处理难度增加,系统对射频器件的性能要求大幅提高;载波聚合及 MIMO 技术应用逐步普及要求各射频器件进行相应的技术更新。

图 2 展示了 5G 时代大规模 MIMO 天线阵列中收发机的典型架构。该图演示了一种数字/ 模拟波束形成的混合方法,是目前商业化的代表实例。这些表明 5G 时代对射频前端芯片 的数量和性能提出了更高要求。天线数量的增加,将带动射频开关、 PA、滤波器等射频前 端芯片需求的增加。

5G 时代带宽、时延、同步等性能全面提升。 ITU 为 5G 定义了三类典型应用场景:增强 移动宽带(eMBB)、海量物联网业务(mMTC)和超高可靠性超低时延业务(URLLC)。 三大应用场景对 5G 网络的性能提出了更高、更全面的要求。根据《中国电信 5G 技术白 皮书》,未来 5G 网络的移动数据流量相对于 4G 网络将增长 500~1000 倍,典型用户数据 速率可提升 10~100 倍, 峰值传输速率可达 10Gbit/s 或更高,端到端时延缩短了 5~10 倍, 网络综合能效提升了 1000 倍。

受益 5G 频段增加, 射频前端芯片市场增长空间大

射频前端芯片市场规模主要受移动终端需求的驱动。 近年来, 受益于移动互联网的快速发 展, 随着移动终端功能的逐渐完善,手机、平板电脑等移动终端的出货量保持稳定。根据 Gartner 统计,包含手机、平板电脑、超级本等在内的移动终端的出货量从 2012 年的 22 亿台增长至 2018 年的 23 亿台,预计未来保持稳定。

在基于移动智能终端实现这些需求的过程中,移动数据的数据传输量和传输速度大幅提升, 并将持续快速增长。根据 Yole Development 的研究, 2016 年全球每月流量为 960 亿 GB, 其中智能手机流量占比为 13%;预计到 2021 年,全球每月流量将达到 2,780 亿 GB,其 中智能手机流量占比亦大幅提高到 33%。

移动数据传输量和传输速度的不断提高主要依赖于移动通讯技术的变革,及其配套的射频 前端芯片的性能的不断提高。在过去的十年间,通信行业经历了从 2G(GSM/CDMA/Edge) 到 3G( WCDMA/CDMA2000/TD-SCDMA),再到 4G(FDD-LTE/TD-LTE)两次重大产 业升级。在 4G 普及的过程中,全网通等功能在高端智能手机中得到广泛应用,体现了智 能手机兼容不同通信制式的能力,也成为了检验智能手机通信性能竞争力的核心指标之一。

为了提高智能手机对不同通信制式兼容的能力, 4G 方案的射频前端芯片数量相比 2G 方 案和 3G 方案有了明显的增长,单个智能手机中射频前端芯片的整体价值也不断提高。根 据 Yole Development 的统计, 2G 制式智能手机中射频前端芯片的价值为 0.9 美元, 3G 制式智能手机中大幅上升到 3.4 美元,支持区域性 4G 制式的智能手机中射频前端芯片的 价值已经达到 6.15 美元,高端 LTE 智能手机中为 15.30 美元,是 2G 制式智能手机中射 频前端芯片的 17 倍。因此,在 4G 制式智能手机不断渗透的背景下,射频前端芯片行业 的市场规模将持续快速增长。

5G 为射频前端产业提供更大的市场机会。随着终端支持的无线连接协议越来越多,从最 初的 2G 网络到现在的 NFC、 2G/3G/4G 网络、 WiFi、蓝牙、 FM 等,通信终端的射频器 件单机价值量增长了数倍。展望未来, 4G 的渗透率尚未饱和,渗透率提升将继续驱动射 频器件单机价值量增长。另外 5G 通讯为射频器件行业带来新的增长机遇,一方面射频模 块需要处理的频段数量大幅增加,另一方面 sub-6G、毫米波等频段信号处理难度增加, 系统对滤波器性能的要求也大幅提高。

根据法国 Yole Development 报告预测,移动设备以及 WiFi 连接部分整体射频前端市场规 模将从 2017 年 150 亿美元增长到 2023 年 350 亿美元,年复合增长率达到 14%。其中作 为射频前端最大市场的滤波器从 2017-2023 年将增长 3 倍左右,复合增长率达到 19%。

现阶段,全球射频前端芯片市场主要被欧美传统大厂占据,国内移动智能终端厂商也多向 其采购射频前端芯片产品。根据 2015 年 5 月国务院发布的《中国制造 2025》, “到 2020 年, 40%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障”, “到 2025 年, 70%的核心基 础零部件、关键基础材料实现自主保障”,提出中国的芯片自给率要不断提升。在这一过程 中,射频前端芯片行业因产品广泛应用于移动智能终端,行业战略地位将逐步提升,国内 的射频前端芯片设计厂商亦迎来发展机会,在全球市场的占有率有望大幅提升。

高频和集成化为射频前端芯片技术发展趋势

Yole 预计全球移动设备和WiFi的射频前端芯片市场将在 2023 年达到 350 亿美元,较 2017 年增长 133%, 2018 年至 2023 年的 CAGR 为 14%;其中滤波器市场有望由 80 亿美金增 至 225 亿美金, 6 年内的 CAGR 为 19%; PA(功率放大器) 市场有望由 50 亿美金增至 70 亿美金, 6 年内的 CAGR 为 7%; LNA(低噪声放大器)有望由 2.46 亿美金增至 6.02 亿美金, 6 年内的 CAGR 为 16%; Antenna tuners(天线协调器)有望由 4.63 亿美金增 至 10 亿美金, 6 年内的 CAGR 为 15%; Switches(开关)有望由 10 亿美金增至 30 亿美 金, 6 年内的 CAGR 为 15%;新增的 mmW FEM(毫米波前端)市场有望在 2023 年达 到 4.23 亿美元。

常用射频芯片用半导体材料有 Si、 SOI、 SiGe、 GaAs、 InP、 GaN 等。两个非常重要的 参数直接决定了器件特性。首先是电子迁移率,电子迁移率的大小,直接决定了该半导体 材料是否适用于更高频波段。因此我们可以看到 GaAs、InP、SiGe 等被广泛的应用于 3G、 4G、 5G 的 PA 和 LNA。其次是半导体材料的击穿场强,直接决定了器件工作时候的功率 密度。因此 GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)被广泛的应用于 4G、 5G 通讯基站。

另外制造成本及是否易于实现系统集成也是一种半导体器件是否适合制作射频前端芯片 的重要考虑因素。既能满足高频需求,制造成本有优势,并且易于实现模组集成的半导体 器件是未来射频前端芯片发展的趋势。因此 SOI、 SiGe 等材料在射频前端芯片领域的应 用越来越广泛,既能实现芯片的高频特性,又与 Si 的 CMOS 工艺兼容是其最大优势。

基于智能手机轻薄化、高屏占比的 ID 设计趋势,同时为了满足日益丰富的功能,手机内 部 PCB 板上留给射频前端功能区的空间处于持续减少的趋势中,根据 IHS 数据,三星 Galaxy S8+的射频前端器件密度已经接近 48%,较 S7Edge 提升超过 6pct,而射频前端 占整个 PCB 的面积仅超过 8.2%,较 S7 Edge 下降约 2pct。

按照集成度,手机终端设备射频前端模组可以分为高、中、低集成度模组。高集成度产品 主要有 PAMiD 和 LNA DivFEM,主要用于中高端手机;中度集成产品主要有 FEMiD、PAiD、 SMMB PA 及 MMMB PA 等。 苹果、三星、华为等高端智能手机大量使用模组。 举例来看, IPhoneX 中采用了 Qorvo 的 PAMiD, Avago 的 PAMiD,以及 Epcos 的 FEMiD。 PAMiD 属于高集成度产品,主要集成了多模多频的 PA、 RF 开关以及滤波器等, FEMiD 属于中 度集成产品,主要集成了开关和滤波器等。

根据 Yole 报告, iPhone X 高频 LTE 射频前端模组采用 Broadcom 的 AFEM-8072。iPhone X 中使用 6~7 个射频前端模组实现高中低频全覆盖,模组化程度前所未有, iPhone X A1865&A1902 中的 Broadcom AFEM-8072 PAMiD(功放集成双工器)作为中高频发射 模组,集成了 18 个 BAW 滤波器、 4 功率放大器、 3 个 SOI 开关等近 30 颗芯片; Skyworks SKY78140 PAMiD 作为低频发射模组,集成了多个双工器、 2 个 SOI 开关、 2 个功率放大 器等。 集成化程度的提升有利于整合能力强的国际巨头。

受益 5G 频段增加, 射频开关市场增长潜力大

射频开关的作用是将多路射频信号中的任一路或几路通过控制逻辑连通,以实现不同信号 路径的切换,包括接收与发射的切换、不同频段间的切换等,以达到共用天线、节省终端 产品成本的目的。射频开关的主要产品种类有移动通信传导开关、 WiFi 开关、天线调谐 开关等,广泛应用于智能手机等移动智能终端。

射频开关根据用途不同可分为移动通信传导开关、 WiFi 开关、天线调谐开关等;根据刀 数和掷数不同,可分为单刀单掷(SPST)、单刀双掷(SPDT)、单刀多掷(SPNT)和多 刀多掷(NPNT)开关。以单刀双掷开关为例,其工作原理是:当控制端口加上正电压时, 连接端口 1 与端口 3 的电路导通,同时连接端口 2 与端口 3 的电路断开;当控制端口加 上零电压时,连接端口 1 与端口 3 的电路断开,同时连接端口 2 与端口 3 的电路导通。

根据 的统计, 2011 年至 2018 年,全球射频开关市场 规模从 6.34 亿美元增长至 16.54 亿美元, 2012 年至 2018 年均复合增长率 14.68%,预计 至 2023 年,市场规模将达 35.6 亿元。

高性能射频开关应具有低插入损耗、高隔离度。 射频开关主要指标有工作频率、工作带宽、 插入损耗、隔离度、功率容量等,其中插入损耗和隔离度是重要性能指标。插入损耗在发 射端影响输出功率,在接收端影响接收灵敏度,因此插入损耗越低越好。而对射频开关的 信道隔离能有效降低系统干扰,因此隔离度越高越好。

先进 RF-SOI 工艺为射频开关未来技术发展趋势

根据卓胜微招股说明书介绍, 射频开关市场的增长主要来自 4×4 MIMO 新增射频路径对 分集开关的需求,以及天线和频段增加对天线开关的需求。 目前射频开关主要基于 RF-SOI 工艺, 由于目前 RF SOI 产能供不应求,有利于 SOI 代工厂台积电、 Tower Jazz、 Global Foundry 等。 SOI 技术指在绝缘衬底上生长半导体层的技术,通过绝缘衬底实现有源层和衬底层的电气 连接隔断。

SOI 器件拥有尺寸小、寄生电容小、速度快、功耗低、集成度高、抗辐射能 力强等优点,特别适合开关和转换器低插损、高线性、高速的要求。

根据 Soitec 公司数据, 2018 年法国 Soitec 公司及其授权的信越、环球晶等占据了全球 90%以上的 SOI 衬底市场。 在 2010 年左右 GaAs 基的 HEMT 还是 RF Switch 的主要技 术选择。 根据 GTI 数据, 随着 RF-SOI 技术的成熟, RF-SOI 能够达到同样的性能和低功 耗,并且制造成本比 GaAs 低 30%左右, die 的体积减小 50%左右。 所以在不到五年的 时间里, RF-SOI 技术逐渐取代 GaAs 基的 HEMT 成为 RF Switch 的主流技术。 根据上海 硅产业集团招股说明书, 国内的上海硅产业集团取得了法国 Soitec 公司的授权,目前也能 够提供 6-inch 高阻的 SOI 衬底。

法国 Soitec 半导体公司是设计和生产创新性半导体材料的全球领先企业,是 SOI 晶圆供 应商。 2016 年,上海硅产业集团宣布收购 Soitec 的 14.5%股份, 宣布首个采用 Soitec 专有 Smart Cut 技术制作的 200mm SOI 晶圆在上海工厂生产成功。 2019 年 2 月 22 日, 新傲科技和 Soitec 联合宣布,扩大新傲科技位于中国上海制造工厂的 200mm SOI 晶圆年 产量,从年产 18 万片增加至 36 万片,满足全球市场对 RF-SOI 和 Power-SOI 产品的增 长性需求。根据 Soitec 的数据,整个行业 2018 年出货 150 万到 160 万片 RF SOI 工艺的 200mm 等效晶圆,比 2017 年增长 15%-20%。预计到 2020 年, 出货量将超过 200 万片。

卓胜微:国产射频芯片的领军者

江苏卓胜微电子股份有限公司(简称卓胜微)是以射频开关和 LNA 芯片为主营业务的国 产射频芯片设计公司。公司于 2006 年 7 月创办于张江高科, 2012 年 8 月在江苏无锡建立 卓胜微电子股份有限公司,而后在上海、深圳、成都设立分公司。公司以智能手机等移动 终端和物联网为两大目标市场,主营业务包括射频开关芯片( Switch)、射频低噪声放大 器芯片(LNA)等射频前端芯片的研发、销售,同时在 WiFi、蓝牙方面进行技术积累,并 对外提供 IP(知识产权)授权和技术服务。目前公司已是全球第五大、国内第一大射频开 关芯片设计公司。

根据 Gartner 公布统计数据显示, 2018 年全球手机销量前五名分别为三星、苹果、华为、 小米和 OPPO,占全球市场 61.0%的市场份额;根据 IDC 公布统计数据显示, 2018 年 中国智能手机销量前五名为华为、 OPPO、 vivo、小米和苹果,占中国市场 87.5%的市场 份额。 根据公司招股说明书介绍, 公司射频开关和低噪声放大器已打入三星、小米、华为 等一线品牌。 2015 年度卓胜微向三星导入射频开关和低噪声放大器部分新产品,并于下 半年度实现量产; 2017 年保持稳步增长,销售数量较 2016 年度上升 65.88%,销售金额 较 2016 年度上升 33.26%。

2018 年随着已有产品导入时间逐渐增加,部分已导入产品的销售数量呈下降趋势,同时, 2017 年度以来三星对供应商新品导入进行了严格控制,因此 2018 年度对三星的销售数量 整体呈下降趋势。此外,同型号芯片产品在推出后,随着市场竞争日趋激烈,单价呈下降 趋势,卓胜微 2018 年度对三星销售的复杂产品比例也较 2017 年度有所降低,因此 2018 年度平均单价也呈下降趋势。综上, 2018 年度对三星的销售数量及金额均有所下降。

2016 年度卓胜微对小米的业务规模较小,尚未形成稳定的规模。随着卓胜微与小米合作 程度的加深,卓胜微向小米导入产品的数量逐渐增加并形成量产, 2017 年以来,卓胜微 对小米的销售数量和金额均呈快速增加趋势。 2016 年度、 2017 年度及 2018 年度,卓 胜微对小米收入占比分别为 0.06%、 8.81%和 13.03%。

射频开关龙头公司包括美国的 Skyworks、 Qorvo、 Broadcom 和日本的 Murata 等, 根据 Yole 数据, 2018 年 4 家公司合计占据全球射频开关市场份额的 77%,其射频开关产品 覆盖高端机型,比如苹果 iPhone X/XS Max/XR、三星 Galaxy 系列、华为 Mate 系列等。 根据 Bloomberg 数据, 卓胜微作为全球第五大、国内第一大射频开关公司,产品以中低 端机型为主,目前已取得全球 5%市场份额,率先实现国产突破。

受益 5G 频段增加, 滤波器需求量加速增长

射频滤波器是射频前端芯片市场份额最大的细分领域。 RF 滤波器包括了 SAW(声表面滤 波器)、 BAW(体声波滤波器)、陶瓷滤波器(LTCC 滤波器)、 IPD(Integrated Passive Devices)等。 全面屏及手机轻薄化,频率资源拥挤化,高性能的滤波器愈发重要。

SAW、 BAW 滤波器是目前手机应用的主流滤波器。 衡量滤波器性能的指标有两个: Q 值和插入损耗。 Q 值越高,表明滤波器可以实现更好的滤波功能。插入损耗是指通带 信号经过滤波器之后的信号功率衰减,当插入损耗达到 1dB,则信号功率衰减达到 20%。从这两大指标来看, SAW 和 BAW 滤波器凭借优良的频带选择性、高 Q 值、 低插入损耗等特性,已成为射频滤波器的主流选择。

移动无线数据和 4G LTE 网络的快速增长导致了对新频段以及通过载波聚合来组合频段的 需求不断增长。 3G 网络只使用了大约五个频段, LTE 网络使用的频段有 40 多个,随着 5G 的到来,频段的使用数量将会进一步增加。互联设备必须要跨多个频段来发送蜂窝信 号、 Wi-Fi 信号、蓝牙信号和 GPS 信号,同时还要避免干扰,这就需要滤波器发挥其作用。

目前国外厂商在 SAW 滤波器领域的技术已较为成熟,并构建了专利壁垒,形成 Murata、 Qualcomm、 TAIYOYUDEN 等数家国际厂商的供给垄断格局。国内 SAW 滤波器厂商的研 发与产品市场应用时间相对较短,技术与产品性能同大型国际厂商之间仍存在差距,急需 加强技术研发投入突破技术壁垒,逐步提升行业的国产化程度。

根据 Yole 数据, BAW 滤波器主要以美国的 Qorvo、 Broadcom 为主, 2018 年垄断了全球 95%以上的市场份额。国内 BAW 滤波器尚处于起步阶段, 仅有少数公司和科研机构有 BAW 样品提供。

根据《射频滤波器介绍》, SAW 和TC-SAW 滤波器适用于 2.5GHz以下的低频段。在 2.5GHz 以上的中高频段, BAW 滤波器为首选。但是在更高频的 SUB-6G 频段及毫米波频段, SAW、 BAW 滤波器已经不能满足需求,需要使用到 IPD、 LTCC 等滤波器。因此在未来 5G 通信 时期,对 BAW、 IPD、 LTCC 等中高频滤波器的需求量将持续增加。

SAW 滤波器需求稳定增长

SAW 滤波器是声表面波(Surface Acoustic Wave)滤波器的简称,其本质是采用石英晶 体、压电陶瓷等压电材料,利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波 专用器件,广泛应用于电视机及录像机中频电路中以取代 LC 中频滤波器,使图像、声音 的质量大大提高。一个基本的 SAW 滤波器由压电材料(piezoelectric substrate)和两个 Interdigital Transducers(IDT)组成。

IDT 是由交叉排列的金属电极组成,一侧的 IDT 把电信号转成声波,另一侧的 IDT 把接收 到的声波再转成电信号。 IDT 之所以能够将电信号转成声波,其原因在于 IDT 下方的压电 材料。 压电是指某些晶体受到外部压力时会产生电压,相反地,如果某些晶体两面存在电 压,晶体形状会轻微变形。 SAW 滤波器常用的压电材料有铌酸锂( LiTaO3),铌酸锂 (LiNbO3), SiO2等。

SAW 滤波器的主要特点是: 设计灵活性大、模拟/数字兼容、群延迟时间偏差和频率选择 性优良、输入输出阻抗误差小、传输损耗小、抗电磁干扰性能好、可靠性高、制作的器件 体积小、重量轻且能实现多种复杂的功能。

SAW 滤波器的特征和优点,正适应了现代通信系统设备及便携式电话轻薄短小化和高频 化、数字化、高性能、高可靠等方面的要求。其不足之处是: 热稳定性较差,高频特性有 待改善。

TC-SAW 热稳定性改善,更适合移动端使用

对于 SAW 等声表面波器件来说,对温度非常敏感。在较高温度下,衬底材料的硬度易于 下降,声波速度也因此下降。由于保护频带越来越窄,并且消费设备的指定工作温度范围 较大(通常为-20℃至 85℃),因此这种局限性的影响越来越严重。

一种替代方法是使用温度补偿(TC-SAW)滤波器,它是在 IDT 的结构上另涂覆一层在温 度升高时刚度会加强的涂层。 温度未补偿 SAW 器件的频率温度系数(TCF)通常约为 -45ppm/℃,而 TC-SAW 滤波器则降至-15 到-25ppm/℃。但由于温度补偿工艺需要加倍 的掩模层,所以, TC-SAW 滤波器更复杂、制造成本也相对更高。

目前 TC-SAW 技术越来越成熟,国外大厂基本都有推出相应产品,在手机射频前端取得 不少应用,而国内的工艺仍需要摸索。

I.H.P.SAW 工作频率较 SAW 提升,可部分替换 BAW

根据村田公司数据, 普通 SAW 基本上是工作在 2GHz 以下, 高频特性有待改善。 村田开 发出克服以往声表面波弱点的 I.H.P.SAW(Incredible High Performance-SAW)。村田将 SAW 技术发挥到极致(4GHz 以下),目前量产的频率可达 3.5GHz。

根据村田公司资料, I.H.P.SAW 可以实现与 BAW 相同或高于 BAW 的特性,并兼具了 BAW 的温度特性、高散热性的优点,具体如下:

(1)高 Q 值:在 1.9GHz 频带上的谐振器试制结果显示,其 Q 值特性的峰值超过了 3000, 比以往 Qmax 为 1000 左右的 SAW 得到了大幅度的改善。

(2)低 TCF:它通过同时控制线膨胀系数和声速来实现良好的温度特性。以往 SAW 的 TCF 转换量非常大(约为-40ppm/℃),而 I.H.P.SAW 可将其改善至±8ppm/℃以下。

(3)高散热性:向 RF 滤波器输入大功率信号后 IDT 会产生热量,输入更大功率则可能 因 IDT 发热而破坏电极,从而导致故障。 I.H.P.SAW 可将电极产生的热量高效地从基板一 侧散发出去,可将通电时的温度上升幅度降至以往 SAW 的一半以下。低 TCF 和高散热性 两种效果,使其在高温下也能稳定工作。

模组化封装是射频前端芯片发展趋势

环旭电子:聚焦 sip 封装在先进射频模组领域的应用

环旭电子是全球电子设计制造领导厂商,专为国内外品牌电子产品或模块提供产品设计、 微小化、物料采购、生产制造、物流与维修服务。环旭电子为日月光投控成员之一,承袭 环隆电气于电子制造服务行业多年经验,并整合日月光集团之封装测试领先技术,为客户 提供通讯类、计算机及存储类、消费电子类、工业类及车用电子为主等电子产品。公司销 售服务据点遍布美洲、欧洲、亚洲,并在中国大陆、台湾、墨西哥和波兰设置生产基地。

2018 年是公司的“扩张”元年,围绕公司提出的“模块化、多元化、全球化”发展战略目标, 公司继续强化领先同业的 D(MS)2 业务定位,巩固微小化系统模块(SiP)技术全球领导 者地位,推动汽车电子、工业类及服务器等系统整合优势产品线加速成长。公司自 2003 年成立,在封装行业中已有近 16 年历史,拥有足够的销售渠道和技术沉淀。 公司的 SiP 业务涉及智能手机的轻薄化封装,无线通信的 SiP 封装,以及其他消费电子方面。

2018 年 8 月,全资孙公司收购波兰的标的公司 Chung Hong Electronics Poland SP Z.O.O, 加快全球化 EMS 工厂布局。 公司欧洲、美洲、国内合资厂均处于产能储备期,全球布局 策略明朗化, 我们预计将于明后年进一步提升市场服务能力,以争取更多市场份额。

1)配合消费电子客户建立新产线。 2) 2019 年 2 月,与高通子公司签订合资协议,拟在 巴西投资设立合资公司,为研发、制造具有多合一功能的 SiP 模块产品,应用于智能手机、 物联网等相关设备; 3 月发布的 ZenFone MaxShot 及 MaxPlus 已搭载环旭与高通合作的 第一款 Qualcomm Snapdragon SiP 芯片。 3)与中科曙光合资成立子公司中科泓泰电子 于 2019 年 3 月在昆山登记成立,致力于生产安全可控服务器产品。 4)工业类产品,在 墨西哥就近建立生产据点,服务新客户。 5)汽车电子,公司在美洲、亚洲已有据点,在 欧洲建设据点以更好服务当地客户。 6)深圳、昆山扩产旨在服务非 SiP 客户。

长电科技:世界第三大封测龙头

长电科技成立于 1972 年,历经四十余年发展,长电科技已成为全球知名的集成电路封装 测试企业。从近几年市场份额排名来看,全球芯片封装测试市场的竞争格局已经基本形成, 行业龙头企业占据了主要的市场份额。根据 SEMI 数据, 2018 年,按营收数据,长电科 技已经是全球第三大封测厂。

公司的主营业务为集成电路、分立器件的封装与测试以及分立器件的芯片设计、制造,公 司为海内外客户提供涵盖封装设计、焊锡凸块、针探、组装、测试、配送等一整套半导体 封装测试解决方案。目前公司产品主要有 QFN/DFN、 BGA/LGA、 FCBGA/LGA、 FCOL、 SiP、 WLCSP、 Bumping、 MEMS、 Fan-outeWLB、 POP、 PiP 及传统封装 SOP、 SOT、 DIP、 TO 等多个系列。产品主要应用于计算机、网络通讯、消费电子及智能移动终端、工 业自动化控制、电源管理、汽车电子等电子整机和智能化领域。

长电科技在高端封装技术已与国际先进同行并行发展,在国内处于领先水平,并实现大规 模生产。

投资建议

2019 年以来,全球各大手机厂商陆续推出 5G 手机终端, 5G 手机目前已经下探到 3000-4000 元的价格区间,我们预计 5G 手机价格的下探将刺激 5G 换机潮提前到来。 华 为于 7 月 26 日发布首款国行 5G 手机 Mate 20X 5G,是全球首款支持 SA 和 NSA 两种主 流 5G 组网方式的 5G 双模手机,定价 6199 元,低于市场预期。 9 月 19 日,华为在德国 慕尼黑发布的 Mate 30 5G 手机,是另外一款同时支持 SA 及 NSA 5G 双模,适配国内三 大运营商的 5G/4G/3G/2G 频段。价格区间下探有望促进 5G 手机换机潮,预计今明两年 各大手机厂商将有多款中高端 5G 手机推向市场。

9 月初以来,中兴、 VIVO、小米等国内手机厂商先后发布了自己的 5G 手机,目前 5G 手 机的推出已成为各大手机厂商的核心卖点之一。国内市场现已推出 12 款 5G 手机,价格 区间从高至 19999 元的顶级概念机型到 3699 的中端性价机型全面覆盖。 5G 手机的推出 将有利于拉动上游射频前端芯片的需求量。 我们认为,未来 3 年到 5 年,国内射频前端芯 片厂商将迎来快速发展期。

全球射频前端芯片产业链:

由于 5G 换机潮及频段增加带来的射频前端行业增长,海外半导体产业链建议关注射频前 端芯片布局最广、耕耘时间较长的: Broadcom( AVGO) 、 Qorvo( QRVO), Skyworks ( SWKS)和 Murata( 6981.JP),以及射频前端芯片上下游产业链的 IQE(射频外延 片供应商)、 soitec(SOI 衬底供应商)、 Towerjazz(SOI 代工厂)以及稳懋(全球化合物 半导代工龙头)等。

目前国内涉及射频前端芯片业务的公司主要包括:

滤波器: 无锡好达(未上市)、 三安光电、 天通股份、德清华莹(未上市)、 天津诺思微(未 上市)、开元通信(未上市) 等;

功率放大器: 三安光电、 海特高新、 Vanchip(未上市)、 慧智微(未上市)、 中科汉天下 (未上市)等;

射频开关: 卓胜微、 紫光展锐(未上市) 等;

低噪声放大器: 卓胜微、 紫光展锐(未上市) 等;

$卓胜微(SZ300782)$$三安光电(SH600703)$$长电科技(SH600584)$

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报告来源:华泰证券

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全部评论

涉淇10-12 12:51

不要相信麦姐

涉淇10-12 12:51

给我少数几个粉丝看一下

涉淇10-12 12:50

这么好的帖子没人看没人评论,到隔壁吵架的倒是不少

坚守成长股1688810-12 12:46

麦捷科技SAW滤波器己批量生产,BAW滤波器已在研发中。