SK Hynix 準備反擊 $美光科技(MU)$

SK海力士全球第二地位岌岌可危，美光步步紧逼


美光(Micron)在DRAM市场快速追击，SK海力士(SK Hynix)全球第二地位岌岌可危，传出SK海力士将加速新一代制程研发，并扩大先进制程产品比重，盼抢搭服务器用存储器需求热潮，拉开与美光差距。

　　韩媒Newspim引述业界消息指出，2018年第1季SK海力士与美光全球市占率差距缩小为5.3%，SK海力士面临被超越的危机，因此决定扩大南韩清州M15厂、中国无锡厂产能，加速15纳米以下DRAM、96层3D NAND Flash制程研发，此外，内部也传出考虑启动非常时期经营体制，全方位防备以防遭竞争对手超车。

　　SK海力士关系人士指出，虽然预期在服务器领域需求带动下，短期内存储器市场将维持景气，但美光以超过预期的速度追赶而上，SK海力士的危机感日渐加深，由于NAND Flash技术实力较美光落后，然现有的DRAM技术领先优势，却也不如过去明显。

　　美光2014年收购尔必达(Elpida)后，DRAM市占率一举冲到第3名，此后数年间与SK海力士激烈交战，2015年第4季两者市占率仍有9%差距，美光2017年第1季后市占率恢复20%以上水准，市调数据指出，2017年第4季两者差距缩小为7.9%，2018年第1季美光只落后SK海力士5.3%。

　　SK海力士为因应2018年服务器用存储器市场需求进一步扩大带来的订单增加，也借此拉开与美光的差距，将扩大清州厂、无锡厂主力产品20——25纳米DRAM与72层3D NAND Flash产能，并加速转入15——19纳米制程，推进15纳米以下DRAM、96层NAND Flash量产技术研发。

　　另一方面，美光2018年制程研发将朝15纳米左右DRAM与96层3D NAND Flash推进，并扩大15——19纳米DRAM与64层3D NAND Flash生产比重，除了已经启动生产的新加坡厂外，也计划扩充日本广岛厂。

　　美光稍早公布会计年度第3季(3——5月)营业表现，营收78亿美元、营业利益40亿美元，分别年增40%、56%，业绩成长主要受惠半导体价格上扬，电脑与服务器用DRAM产品便占总营收的71%，预料，第4季营收可望进一步突破80亿美元。52RD