一、经营情况：2023年公司营收12.5亿元，较上年同期增加200%；归母净利润-4,572万元，较上年同期亏损大幅度收窄。其中，公司主营业务营收10.8亿元，较上年同期增加233%；主营业务毛利率17.5%，较上年同期增加18个百分点。
碳化硅衬底销量22.63万片，同比增长255%；均价4798元/片，同比下降6%，整天来看，产品价格保持平稳。
根据日本权威行业调研机构富士经济公布的《2024年版新一代功率器件&相关市场现状和展望》报告，2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率前三的公司有1家来自中国，天岳先进（SICC）超过高意(Coherent)跃居全球第二。截至目前，全球前十大功率半导体企业超过50%已成为公司客户。2023年济南工厂的产能产量稳步推进，同时，公司加快上海临港工厂投产进度，上海工厂已于年中顺利开启产品交付。原计划临港工厂2026年30万片导电型衬底的产能规划提前实现，公司将继续推进第二阶段产能提升规划。
公司在大尺寸及高品质产品方面取得了突破性进展。公司通过自主扩径实现高质量8英寸产品的制备，在产品性能持续提升和批量化制备等各方面具有领先优势，目前已实现批量化销售。公司将根据下游市场的进展情况，积极进行8英寸导电型产品的产能布局。
截至2023年末，公司累计获得发明专利授权172项，实用新型专利授权 317项，其中境外发明专利授权13项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。
2023年，公司宣布业内首创完成了8英寸导电型碳化硅衬底的液相法制备。
碳化硅的单晶生产方式主要有物理气相传输法（PVT）、高温气相化学沉积法（HT-CVD）、液相法（LPE）等方法，目前商用碳化硅单晶生长主流方法为相对成熟的PVT法，液相法也在快速发展中。液相法生长SiC单晶最早是由德国Hofmann DH等人于1999年提出的。近些年，日本的一些机构又对液相法生长碳化硅进行了大量的研究改进。选用石墨材料作为坩埚，同时将其作为碳源，在石墨坩埚中填充硅熔体。将SiC晶种放置在石墨坩埚顶部，刚好与熔体接触，控制晶种温度略低于熔体温度。利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体的生长。
“液相法（LPE）的优势：
一是生长原料是通过单体的硅和合金组成的，这样就省去了传统气相法生长过程中制备高纯碳化硅晶体粉末需要，原料相对来说可以节约一部分成本。”
二是液相法生长的温度更低，节能上有一定优势。”
三是液相法由于温度低，整个过程相对来说比较稳定，重复性和可靠性相对较好，良率有望得到提升。“综合下来，有研究机构认为液相法相对物理气相传输法，成本有望降低30%左右。”
二、行业方面：2023年国际市场对高品质导电型碳化硅衬底的需求旺盛，而终端应用端跨过导入期，在新能源汽车行业规模化应用，并向其他各领域应用渗透拓展。第三代半导体产业进展超预期，全球头部企业在衬底材料、晶圆制造环节等产业链关键环节正加快加大布局。根据NE时代数据，我国新能源上险乘用车800V车型中碳化硅渗透率显著提升，2023年6-11 月800V车型中碳化硅车型占比分别为15%/18%/29%/35%/39%/45%，渗透率持续提升。日本权威行业调研机构富士经济报告指出，在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC功率器件市场需求整体坚挺，2030年SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，占到整体功率器件市场约24%，2035年则有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。
三、财务分析：
1、偿债能力：截止2023年末，公司账面现金+交易性金融资产13亿，有息负债315万元，公司账上现金充裕。公司应收账款及票据3.6亿元，应付账款及票据10.7亿元，应付账款大幅增加9个亿，主要原因是应付工程款、设备采购款增加所致。同时，公司合同负债9932万元，同比增长344%。
2、盈利能力：2023年公司毛利率、净利率分别为15.8%、-3.7%，同比提升21.6个百分点、38.4个百分点。未来随着销售规模扩大，产能利用率提高，净利率有望持续提升。
3、现金流：经营性现金流回正。
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利益声明：本人未持有天岳先进，但不排除以后择机建仓!