4月10日,在2024武汉九峰山论坛上,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关,展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。通过调控外延工艺,外延片不均匀性控制在4%以内,所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%,击穿电压突破了2000V。
而在今年1月,致...
source:拍信网
据了解,该法案还为国防部 (DoD) 提供20亿美元(折合人民币约145亿元),用于加强和振兴美国半导体供应链。
Coherent表...
4月10日,在2024武汉九峰山论坛上,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关,展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。通过调控外延工艺,外延片不均匀性控制在4%以内,所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%,击穿电压突破了2000V。
而在今年1月,致...
4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通过技术创新,在SiC键合衬底的研发上取得重要进展,在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。
8寸N型SiC复合衬底(source:青禾晶元)
青禾晶元介绍,对比6英寸SiC晶圆,8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍,芯片产出可增加80-90%,SiC晶圆升级到8英寸...
4月9日,上交所官网披露,拉普拉斯新能源科技股份有限公司(以下简称拉普拉斯)首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请已在3月27日获批生效。
source:上交所
拉普拉斯此次IPO拟募资18亿元,募集资金主要用于光伏高端装备研发生产总部基地项目、半导体及光伏高端设备研发制造基地项目以...
天眼查资料显示,4月5日,华为技术有限公司公开一项“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利,申请公布号为CN117822097A,申请日期为2022年9月28日。
source:国家知识产权局
该专利摘要显示,本申请实施例公开了一种挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法,涉及碳化硅晶...
4月9日,胡润研究院发布《2024全球独角兽榜》,列出了全球成立于2000年之后,价值10亿美元以上的非上市公司。
据了解,胡润研究院自2017年以来追踪记录独角兽企业,这是第六次发布全球独角兽榜。本次榜单估值计算的截止日期为2024年1月1日,在发布之前更新了估值的重大变化。
根据最新榜单...
4月7日晚间,斯达半导体股份有限公司(以下简称斯达半导体)发布2023年年度报告(以下简称报告)。报告显示,斯达半导体2023年实现营收36.63亿元,同比增长35.39%;归母净利润9.12亿元,同比增长11.36%;归母扣非净利润8.86亿元,同比增长16.25%。
海外业务方面,2023年,斯达半导体子公司斯达...