前段时间报道的,浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功生长出了厚度达到50mm的6英寸碳化硅单晶。用的就是电阻法加热的晶体生长炉
不懂,但是我知道电阻法稳定性好,对设备要求高
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