$长电科技(SH600584)$ 三星电子正探索将混合键合技术用于逻辑芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封装的 2nm 移动端处理器。混合键合技术是一种无凸块（焊球）的直接铜对铜键合技术。相较采用凸块的传统键合技术，混合键合可降低上下层芯片间距，提升芯片之间的电信号传输性能，增加 IO 通道数量。混合键合已在 3D NAND 闪存中使用，未来即将用于 HBM4 内存。
