$东微半导(SH688261)$ 一季度会议说明
Q：请简要介绍下公司2023年度暨2024年一季度的整体业绩情况.

A：2023年度受全球经济增速下行以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品销售价格和毛利率有所下降。同时，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，继续保持主要产品高压超级结MOSFET销量的上升，但由于产品销售价格的下降，致使公司2023年营业收入较2022年同期出现下滑。此外，公司进一步加大前瞻性研发投入力度，相应的材料、职工薪酬、研发设备及平台开发等研发投入均持续增长，亦对公司2023年经营业绩产生影响。2023年度，公司实现营业收入97,285.03万元，较上年同期减少12.86%；实现归属于上市公司股东的净利润14,002.50万元，较上年同期减少50.76%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润11,941.51万元，较上年同期减少55.41%。2024年一季度，公司实现营业收入17,310.85万元，较上年同期减少42.71%，实现归属于上市公司股东的净利润429.41万元，较上年同期减少93.96%，实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润30.91万元，较上年同期减少99.54%，主要产品高压超级结MOSFET销量较上年同期增长15%，同样由于产品销售价格的下降，致使营业收入较上年同期出现下滑。
Q：公司在2023年年报上有一定篇幅介绍了SiC产品,东微作为技术研发型公司,请介绍下在SiC方面的规划.

A：SiC产品一直是公司重点布局的领域，2023年公司与国内多家一线SiC晶圆代工厂进行战略合作，在SiC二极管、SiCMOSFET及Si2CMOSFET器件上取得了较大的研发进展。其中，Si2CMOSFET持续出货，进入批量交付阶段。原创器件结构的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成设计流片、可靠性评估工作，基于15V驱动平台的SiCMOSFET器件产品已经进入内部验证阶段，目标是全系列产品追平海外巨头厂商产品性能，同时利用产业基金平台实现SiC衬底、外延、模块封装等全产业链条协同，进一步实现国产化替代，培育国内SiCMOSFET产品国际先进的核心竞争力，为公司主营产品销售增长提供持续推动力。
Q：关于公司IGBT业务,单管产品价格会面对一定的挑战,从模块角度来讲,目前可能光伏应用的方案会比较多,同时需要配合下游客户方案的迭代,请问公司在IGBT产品方面的规划?

A：2023年，IGBT业务方面主要是转换了IGBT产品竞争策略，也就是我们自主知识产权的TGBT产品，加大TGBT大功率单管产品研发投入力度，拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作，获得客户的好评。并通过产业基金投资包括IGBT模块、车规级高可靠性集成方案以及光伏逆变器企业等在内的项目，中长期有利于提升与公司的产业链协同效应，实现协同发展。
Q：近两年面对海外企业的竞争,公司的应对策略是怎么样的?

A：作为一家技术驱动型的功率半导体设计公司，我们坚持长期的策略，专注于主营产品的技术迭代和技术创新，包括配合终端客户需求，与上游代工厂共同探索新的工艺，优化产品性能，支撑我们未来持续的成本优化和新产品系列的推出。另外从供应链安全角度，国产替代的行业大趋势下终端客户也在坚定的导入国产产品，我们看好未来国产芯片的市场空间。
Q：从功率公司一季报来看,有些公司出现了业绩的拐点,有些可能还是处于比较偏有压力的位置,和前两年产能紧张的情况相比,公司认为整个功率行业竞争格局会出现什么样的变化?