【电池片技术路线图】
1）从衬底类型来看，可将电池片分为P型电池片和N型电池片两类。P型电池主要包括【BSF】（常规铝背场电池）和【PERC】（钝化发射极和背面电池）；N型电池目前较主流的技术为【TOPCon】（隧穿氧化层钝化接触）和【HJT】（本征薄膜异质结）。【N型电池】通过电子导电，且硼氧原子对造成的光致衰减较少，因此光电转换效率更高
2）为了降低电学损失，可进行场钝化或化学钝化处理，即通过提高硅片质量或改善金属和半导体接触方案来减小载流子的复合速率，提高载流子寿命，当前主要采用的方法有：选择性发射极（SE技术原理）、氧化硅+多晶硅（TOPCon电池隧穿层原理）、本征非晶硅+掺杂非晶硅（HJT电池原理）或富氢介质膜（HJT电池本征富氢非晶硅膜原理）。
