高速算力集成AI芯片国产绕开制裁的新技术节点
可以关注
1:封装基板TSV→TGV (3D～3.5D～4D封装必经路线玻璃通孔)性能优势未来有可能TDV（金刚石晶圆）
优势如下
支撑并代表华为手机端及AI芯片材料、封装技术路线的盛和晶微（英特尔半导体方面高度协同的TGV+背面供电+3D封装技术）
$德龙激光(SH688170)$ 购买康宁国际持有的德国康宁激光100%股权 自身也有布局TGV技术
有布局TGV技术
持股79.09%的航天科工微系统技术有限公司
在毫米波芯片封装工艺上有相关技术
TGV玻璃基板即将投产
玻璃薄化、 TGV（玻璃通孔）、溅射铜以及微电路图形化技术，拥有玻璃基巨量微米级通孔的能力，最小孔径可至 10μm，厚度最薄 0.15-0.2mm 实现轻薄化目前技术覆盖上已可对标国际巨头康宁 在TGV产业链的价值量上占据绝大部分 通格微不单是晶圆厂 更覆盖了芯片代工厂的多个技术与价值量 由于材料的光电、导热性能特性玻璃基封装基板将成为光子芯片个量子芯片目前最优选项
2:HBM结构中存储芯片DRAM/SDRAM→MRAM的进阶替代(Groq先前发布的IPU集成中的SRAM功耗、易失性、密度上有无法改变致命缺陷视为伪命题)
MRAM优势
多框的比较牛逼尤其紫色框的是最新技术路线:
STT-MRAM
SOT-MRAM
头部较先进的路线基本非上市公司 很多未放上来
下面是上市公司的几个标的红色框
$航天电子(SH600879)$ 全资子公司时代民芯STT-MRAM
山东华芯半导体有限公司
