券商原文:
1.HBM3海力士率先引入MR-MUF,HBM4剑指混合键合;当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠(TSV晶圆厂完成,封测厂堆叠配套),但随堆叠层数增加散热效率很差,TCB不再满足,海力士率先引入MR-MUF回归大规模回流焊工艺,芯片间用液态环氧模塑料作填充材料,导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多,但海力士也预计HBM4会引入混合键合Hybrid Bonding,取消互连凸块;我们预判,当前HBM主流依是TCB压合,MR-MUF为过渡,未来混合键合是大趋势。液态塑封料LMC依然是晶圆级封装至关重要的半导材料之一。
2.混合键合与TSV是3D封装核心,HBM“连接”与“堆叠”带来设备材料端发展新机遇:混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W,3D NAND使用W2W,典型案例为长鑫存储Xstacking,CMOS层+存储层采用W2W混合键合,预计HBM未来亦会采用W2W方案,W2W与D2W方案相比一般应用于良率非常高的晶圆,避免损失;根据我们产业链研究,混合键合将充分带动永久键合设备与减薄+CMP需求,BESI数据,预存储领域未来贡献混合键合设备明显增量,保守预计26年需求超200台,减薄+CMP亦成重要一环;当前HBM方案主要带动固晶机、临时键合与解键合、塑封装备及TSV所需的PECVD、电镀、CMP等设备;材料则是TSV电镀液、塑封料等。