首款国产化110GHz电光强度调制器产品研制成功,并获多家产业客户验证和订购。该调制器以国产薄膜铌酸锂芯片为核心,可在C和L波段工作,具有超高带宽、超高速率、低啁啾、低驱动电压、高线性度等特性,其3dB带宽高达110GHz,关键技术指标达到国际先进水平,将广泛应用于光通信、光互连、光计算、光电测试测量、微波光……。
铌酸锂晶片:高速率解决方案。新一代薄膜铌酸锂调制器具有高性能、低成本、小尺寸、可批量化生产且与CMOS工艺兼容等优点,是未来高速光互连极具竞争力的解决方案。 天通股份 生产的铌酸锂晶圆是铌酸锂调制器芯片的上游关键原材料,同时可作为光电材料在光通讯中起到光调制作用。
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