$云天化(SH600096)$ 磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体材料,其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点,磷化铟具有闪锌矿型晶体结构,禁带宽度为1.34eV,常温下迁移率为3000—4500 cm2 /(V.S),被广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集...