三安半导体在24年北京国际汽车展览会宣布新的碳化硅技术突破——1200V 8mΩ SiC MOSFET的新品首发。在本次车展上,三安半导体展示最新研发成果——1200V 8mΩ SiC MOSFET。该公司表示,这款产品是他们目前MOS 1200V电压平台最小导通电阻、最大额定电流产品。采用先...