国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司于4月9日申请公布一项名为“存储器、电子设备”的专利，公布号为CN117858494A。

静态随机存储器(SRAM)是一种基于触发器逻辑电路的半导体存储器。只要处于上电状态，SRAM中写入的信息就不会消失，不需要刷新电路。传统的硅(Si)基SRAM包括6个金属氧化物半导体场效应品体管。

SRAM概念：永安行、北京君正，西侧测试