SK海力士公司计划在其位于无锡的C2工厂进行改造升级，将其转换为第四代（1a）D-RAM工艺。这种工艺可以达到10纳米级别。HBM3就是第四代DRAM产品。
自今年上半年开始，SK海力士所要量产的第五代HBM(HBM3E)产品，每颗芯片的最大容量为36GB(288Gb)，由12层的24Gb DRAM构成。2021年，SK海力士已经利用第四代制程技术首次实现了24Gb DRAM的生产。制造HBM3E产品，需要应用等于或高于第四代DRAM的工艺，以满足顾客的要求。
当前，无锡工厂主要生产用于HBM3的第三代DRAM产品。为了应对诸如NVIDIA等核心客户日益增加的对HBM3E产品的需求，SK海力士得出结论，必须不惜采取一切办法，包括在以川工厂之外，转变其无锡DRAM生产工艺，以应对市场挑战。海力士（中国）半导体产能占比47%，可以推测海力士会把HBM3以及未来HBM4产能放在无锡工厂，太极实业与海力士成立的海太半导体专注于为海力士（中国）半导体提供后工序封装服务，两个厂区间隔3.7公里！海太半导体2024年采购机器设备金额大幅增加9倍，太极实业与海力士合资公司海太半导体有望承接HBM3后工序封装订单！$太极实业(SH600667)$ $华海诚科(SH688535)$ $通富微电(SZ002156)$
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