据Xtech Nikkei报道，Kioxia 首席技术官(CTO) Hidefumi Miyajima 表示，该公司计划到 2031 年批量生产超过 1,000 层的 3D NAND 内存，目前全球头部3D NAND原厂可量产最先进制程为232层左右，提升空间非常明显。随着层数逐渐上升，3D NAND工艺对CCP刻蚀、PECVD需求高速增长价值量持续攀升，对g-k设...
正常，现在小秘书对半导体相关消息的管制非常严格