官微资料显示,北一半导体成立于2017年,总部位于深圳市,生产基地位于黑龙江省穆棱市,是一家专注于Si基、SiC基功率半导体芯片及模块研发、模块生产、销售的厂商。北一半导体目前在研产品包括精细沟槽栅IGBT芯片、沟槽栅SiC MOSFET芯片、双面散热模块等,产品广泛应用于工业变频、感应加热、新能源汽车、风电及光伏领域。
source:北一半导体
SiC业务方面,2018年,北一半导体成立SiC芯片开发项目组,进行SiC二极管及MOSFET芯片调研规划;2019年,其1200V 20A SiC JBS二极管产出,可靠性通过工业级考核,1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片;2021年,其1200V SiC JBS二极管及MOSFET分立器件在电源领域获得批量订单;2022年,北一半导体完成1200V等级SiC MPS芯片开发,浪涌电流达到12倍额定电流,新能源汽车用750V、1200V等级IGBT及SiC模块获小批量订单;2023年,北一半导体完成650V及1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片设计。
项目方面,2023年1月,北一半导体新建二期厂房正式全面投入使用。二期占地面积超过12500平米,产能进一步扩大,能够满足HPD模块、IGBT模块、PIM模块、IPM模块、SiC模块大量生产条件。
文:集邦化合物半导体Zac整理