3月28日，由张江高科、IC咖啡联合主办的“芯未来”公益讲座【2024 第八场】“全球SiC和GaN的产业生态竞争格局和未来发展”如约开讲。本次讲座荣幸邀请到镓谷半导体董事长周贞宏博士与产业人士一起探讨第三代半导体的相关话题，近50位产业人士及企业高管汇集IC咖啡（张江集电港二期）参与线下交流。IC咖啡创始人胡运旺为本次论坛做开场演讲。
本次讲座周贞宏博士从全球SiC和GaN产业的生态竞争格局和未来发展出发。结合最新的英飞凌和Yole的数据报告，详细介绍了SiC和GaN作为第三代半导体材料，在电力电子、汽车电子等领域广泛应用潜力。SiC和GaN正在成为替代传统硅材料的首选，并在电力电子领域的市场份额快速不断增长。根据Yole的数据分析，截至最新统计，全球SiC市场规模2021年已达到约10亿美元，预计到2026年将达到约63亿美元，年复合增长率预计超过34%。而GaN市场规模也在快速扩大，2022年仅1.82亿美元，预计到2027年将超过20亿美元，年复合增长率预计超过59%。这突显了SiC和GaN产业在未来发展中的重要性和潜力。氮化镓比碳化硅晚3年还没到爆发点，一旦爆发将势不可挡，预计2028年将遍地开花结果，比目前碳化硅行业更加红火。
然而，随着全球碳化硅产业进入大规模扩产成熟期，初创公司成功率并不十分乐观，特别是那些规模小且没有独特技术或差异化产品的“Me too”型公司。半导体产业特性是以量取胜，上量的产品遵循摩尔定律，价钱成本大幅度降低，投入小于10亿美元的SiC Fab项目没有规模很难竞争，成功率依然不高。目前全球IDM大举投资建造8寸SiC Fab厂于2026-2028年期间投产，SiC芯片Fab产能过剩和8寸衬体短缺的风险仍然存在，需要企业警惕防范风险。在这一背景下，氮化镓产业正处于迅速发展阶段，尤其是手机快充技术的推广加速了GaN市场的增长。预计未来，GaN将继续取代硅MOS，占领更多市场份额。氮化镓有望超越碳化硅，成为主导数据中心、电动汽车、太阳能等应用领域的功率器件材料，预计GaN产业规模将远超SiC，从低压40V、100V、200V到高压650V、900V、1200V；低功率25W到高功率几万W实现产业替代。这些风向标提示了SiC和GaN产业的发展方向，投资机构和企业需密切关注市场动态，加强技术创新和上下游生态资源整合，以抓住未来的投资发展机遇应对风险和挑战。
在交流环节中，行业专业听众与周贞宏博士深入探讨了关于SiC及GaN的技术和市场等诸多话题。周贞宏博士用通俗易通的语言认真解答每一个问题。精彩演讲，耐心的解答得到听众们的一致好评和及赞赏。
2024年4月11日（周四）晚上18:30-20:30，由张江高科、IC咖啡联合主办的“芯未来”公益讲座【2024 第九场】，将与大家一起探讨“芯片后端物理设计自动化技术”，欢迎新老朋友莅临交流。